MBE源InP,GaSb

厂商 :武汉拓材科技有限公司

湖北 武汉市
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商品详细描述
产品参数
品名: 产地:武汉 含量≥:99.999999 粒度:50g 牌号: 包装规格:4层真空 形状:颗粒状 制作方法:其他 MBE:高纯源
产品特点

铟In,铝Al,锑Sb,镓Ga,碲Te,磷P,铍Be,钪Sc。MBE分子束外延原材料磷化铟,砷化镓。 磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体。化学分子式为InP。共价键结合,有一定的离子键成分。属闪锌矿型结构,为复式晶格,晶格常数是0.58688nm

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