V4D型真空共晶炉真空回流焊

1、焊接温度：V4D型真空共晶炉实际焊接最高温度≤600℃。

2、真 空 度：极限真空度≤10 Pa 工作真空50Pa-200Pa。

3、有效焊接面积：≥380mm*310mm

4、炉膛高度： ≥100mm。

5、加热方式：采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热，热板采用半导体级石墨镀碳化硅平台，石墨镀碳化硅平台长期使用不易变形，而且具有很高导热性，使热板表面温度更加均匀。

6、温度均匀性：有效焊接面积内≤±2%。

7、升温速率：最大升温速率120℃/min。

   V4D真空共晶炉配置了上加热，提高加热效率的同时，使平台温度更加均匀，提高焊接一致性及质量。

8、冷却速率：最大冷却速率120℃/min（空载最高温-150℃范围）。

碳化硅加热平台：采用气冷+水冷结合冷却方式，实现热板的快速冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良。

9、满足各种焊料（≤450℃）的焊接要求。

例如： In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片（可无助焊剂共晶焊接）和各种成份的焊膏。

10、焊接空洞率：

V4D型真空烧结炉在软钎焊料焊接时，经过大量客户验证，空洞率可控制在2%以下。

11、可选正压模块：

设备可以选配正压模块≤0.2Mpa，可满足正压、负压工艺要求。正压工艺可有效解决

微小器件在焊接过程中移位问题（MiniLED、MicroLED等）、解决焊膏工艺助焊剂飞

溅问题（引线框架类产品）。

12、控温系统及测温系统

12.1 V4D型真空烧结炉采用同志科技专利的控温技术，控温精度在±1℃。

12.2 V4D型真空烧结炉温度曲线可设定最多40段温度，并配置6组PID设定，更精准控制温度，保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控，而PID控制是具有超前调节的作用，可提高控温精度以及稳定性。

12.3 V4D型真空烧结炉腔体内标配2组同志科技专利技术的柔性测温热电偶，设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度，并在控制软件中实时显示测温的温度曲线，更好的保证焊接区域的温度控制，为取得良好的工艺曲线提供支持。

13、腔体气氛环境

V4D型真空烧结炉可充入氮气惰性气体辅助焊接，同时满足甲酸、氮氢混合气体（5%氢气95%氮气）还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制，保证每次设定工艺完成的一致性。设备自带密闭废气排气通道和过滤系统，通过排气通道处理及排出，保证设备正常使用。满足无助焊剂情况下焊接。

14、V4D型真空共晶炉配置软件控制系统：

14.1软件控制系统基于Windows操作系统，操作简单。

14.2可通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行工艺编程，软件工艺自动控制整个工艺过程。

14.3工艺曲线编程的工艺动作无限多个，满足复杂工艺要求。

14.4控制系统满足各种焊接工艺曲线，并根据工艺不同进行设定、修改、存储、调用。

14.5控制系统自带分析功能，能对工艺曲线进行分析，确定升温、恒温、降温等信息。

14.6软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线，保证器件工艺的可追溯性，按照工艺工作时间自动存储在相应目录。

15、V4D型真空共晶炉采用闭合式腔体结构，保证长期使用的可靠性，使用过程中关闭上盖时不会造成器件移位，避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。

16、V4D型真空共晶炉，上盖带有视窗，可通过显微镜观察器件烧结过程。上盖自动升降，除手工取放件外，其它操作软件自动控制完成。   

三、参数表

型    号: V4D

焊接面积:380*310mm

焊接高度:100mm

温度范围:最高600℃

极限真空:≤10Pa 工作真空5Pa

升温速率:≤120℃/Min（可定制更高升温速率  ≤200℃/min）

降温速率:≤150℃/Min

数据接口:串口/USB口

设备控制方式:工控机+软件控制系统（同志科技自主软件）

焊接工艺:40段温度控制+真空压力控制

冷却方式: 水冷（含冷热交换器、冷水机）

额定功率: 30KW

电源:三项五线 380V   25-50A

外形尺寸:900*1100*1300mm

重量: 320Kg