S9015

S9015 规格参数 技术参数 极性PNP 击穿电压(集电极-发射极)45 V 集电极最大允许电流100mA 最小电流放大倍数(hFE)200 最大电流放大倍数(hFE)1000 封装参数 安装方式Surface Mount 封装SOT-23 外形尺寸 封装SOT-23 其他 最小包装3000 符合标准 RoHS标准RoHS Compliant 含铅标准Lead Free 硅外延平面晶体管特点互补S9014。无铅优秀HFE线性。应用低频率，低噪声放大器。 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| ?45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| ?100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~1000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Complementary To S9014. Lead-free Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS Low frequency , low noise amplifier. 描述与应用| 硅外延平面晶体管 特点 互补S9014。 无铅 优秀HFE线性。 应用 低频率，低噪声放大器。