存储 DRAM芯片

是否Rohs认证 符合 符合 生命周期 Contact Manufacturer IHS 制造商 ETRON TECHNOLOGY INC 包装说明 TSOP2, Reach Compliance Code compliant ECCN代码 EAR99 HTS代码 8542.32.00.24 风险等级 5.82 访问模式 FOUR BANK PAGE BURST 最长访问时间 5.4 ns 其他特性 AUTO/SELF REFRESH JESD-30 代码 R-PDSO-G54 长度 22.22 mm 内存密度 268435456 bit 内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM 内存宽度 16 功能数量 1 端口数量 1 端子数量 54 字数 16777216 words 字数代码 16000000 工作模式 SYNCHRONOUS 最高工作温度 70 °C 最低工作温度 组织 16MX16 封装主体材料 PLASTIC/EPOXY 封装代码 TSOP2 封装形状 RECTANGULAR 封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE 座面最大高度 1.2 mm 自我刷新 YES 最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 最小供电电压 (Vsup) 3 V 标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 表面贴装 YES 技术 CMOS 温度等级 COMMERCIAL 端子形式 GULL WING 端子节距 0.8 mm 端子位置 DUAL 宽度 10.16 mm