95:5ito靶材

1950年，第二种透明半导体氧化物In2O3被制成，特别是在In2O3里掺入锡以后，使这种材料在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用，并具有广阔的应用前景。目前制备ITO薄膜的方法有很多种，如低电压溅射、直流磁控溅射和HDAP法。直流磁控溅射，两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场来实现。