VSE007N04MS-G

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商品详细描述
产品参数
品牌：其他 型号：VSE007N04MS-G 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：A/宽频带放大 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 材料：ALGaAS铝镓砷
产品特点

VSE007N04MS-G 40V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN3333 Features ??Enhancement mode ??Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V ??VitoMOS? Ⅱ Technology ??Fast Switching and High efficiency ??Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free 粤吉代理威兆全系列产品线 主推型号： 1. VS3618BE 30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN3333 2. VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN3333 3. VS4620GEMC 40V/54A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN3333 4. VS40200ATD 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：TO-263 5. VSE007N04MS-G 40V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN3333 6. VSP003N08HS-G 80V/190A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN5060X 7. VSP007N06MS-G 60V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN5x6 8. VSP008N10MSC 100V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：PDFN5x6 9. VST009N06MS-G 60V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET 封装：TO-220AB 深圳市粤吉电子有限公司 联系人：毛小姐 14774661062 电话：0755-82598481 QQ：472947879 邮箱：may@yjesz.com 地址：深圳市宝安区新安街道留芳路2号凌云大厦8楼

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