IRF100S201

数据列表 IRF100(B，S)201;_ 标准包装 800 包装 标准卷带 零件状态 有源 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 规格 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 255nC @ 10V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9500pF @ 50V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 441W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB） 封装/外壳 TO-263-3