负型光刻胶

Brthrper-NP-900系列负型光刻胶

一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的负型光刻胶

应用领域：

用于制造超厚（50-200um）和中厚（10-50um）MEMS微结构，以及普通膜厚（0.3-10u）的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条；适合i、G线，X-Ray，E-beam曝光

深圳市邦得凌触控显示技术有限公司的Brthrper-NP-900系列负型光刻胶是一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的光刻胶。

分别适用于制造超厚（50-200um）和中厚（10-50um）MEMS微结构，以及普通膜（0.3-10um）的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条；适合i、G线，X-Ray，E-beam曝光。

具有好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下，曝光均匀一致，可得到具有Profile垂直侧壁和的厚膜图形。

Brthrper-NP-900系列负型光刻胶的特性
1）厚度范围，单层涂胶厚度为 0.3um to 200 um
2）50um以上厚度光刻图型高深宽比可达：10:1
3）适用于旋涂工艺涂布，比自流平式后膜光刻胶工艺制程效率更高；
4）表面平整度高，50-100um膜厚在8吋晶元面积平均膜厚误差≤5%
5）可靠性高，后烘坚膜后可作为芯片倒封装以及chiplet封装支撑胶
应用：MEMS，激光芯片，钝化层应用LED微流倒封装以及光传感器干法蚀刻制作  

其中，Brthrper-NP-901A用于制作0.3-10um厚度图型：

 Brthrper-NP-931A用于制作10-50um厚度图型：

 Brthrper-NP-901A光刻工艺参数推荐：
1.涂胶 500-1500rpm/10s
2.前烘 90℃/4min
3.曝光 150mj/cm2     
4.显影 60s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001
5.后烘 120－200℃/30-60min

Brthrper-NP-931A光刻工艺参数推荐：
1.涂胶 800-3000rpm/10s
2.前烘 110℃/4min
3.曝光 200mj/cm2     
4.显影 120s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001
5.后烘 180－230℃/30-60min


Brthrper-NP-951A光刻工艺参数推荐：
1.涂胶 3000-5000rpm/10s
2.前烘 110℃/4min
3.曝光 200mj/cm2     
4.显影 150-180s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001
5.后烘 200－230℃/30-60min

成膜物化参数

序号	项目名称	指标	参考标准
1	透过率(400nm)	98%	230℃/1h
2	坚膜铅笔硬度	2H	三菱铅笔/750g
3	粘度值	8.9~1000cp	粘度仪
4	成膜均匀性	<3%	9点法
5	温度耐受范围	-20~250℃	--
6	吸水率	1.5%	100℃/2h
7	表面电阻率	1.36*1016 Ω/cm2	四探针法
8	像素坡度	23~120°	显微镜x50
9	介电常数	3.4 （>1014Ω/□）	--
10	耐化学	浸泡1h膜完好	IPA、NMP、GBL
11	百格刀测试	OK	3M胶带
12	比重	1.03g/cm3	重量杯

三、包装及贮存

包装：3.8L洁净加仑桶，加不透光包装袋
贮存：密封后于0-5摄氏度保存；贮运中避免日晒、雨淋、泄露
保质期：3个月 

四、售后与服务
如接到使用方技术服务请求后48小时内，将用电话、传真、E-mail提供解决方案或派人前往协助解决。
公司地址：深圳市南山区科技园南区高新技术产业园区W1-A座4层A-06