厂商 :北京齐昂电子科技有限公司
北京市 北京市- 主营产品:
- 国产飞腾
- innodis电子盘
- 工业级CF卡
SSD固态硬盘
SSD 固态硬盘为工控系统所使用的标准储存解决方案。我们的SSD产品系列提供了各种不同规格,包含1.8吋、2.5吋及其他。
2.5" SATA SSD 3SE

- 2.5” SATA III soultion for industrial field
- iSMART disk health monitoring
- Intelligent error recovery system
- Excellent data transfer speed
- Enhanced power cycling management
概述:
innodisk 2.5” sata ssd 3se 是基于 sata3 的6gb / s 闪存磁盘,具有优异的性能和可靠性,是各种应用的理想解决方案,包括嵌入式系统、工业计算和企业领域。 3se 2.5” ssd 不仅执行好的性能,而且还设计了 innodisk 拥有的技术诀窍,以确保数据完整性和可靠性。
规格:
Model Name | 2.5" SATA SSD 3SE |
Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
Flash Type | SLC |
Type | 2.5" |
Capacity | 4GB~256GB |
Max. Channels | 4 |
Sequential R/W (MB/sec, max.) | 490/430 |
Max. Power Consumption | 3.0 W (5V x 600 mA ) |
Thermal Sensor | ST- Optional / WT- Default |
External DRAM Buffer | N |
H/W Write Protect | N |
iCell | N |
ATA Security | Y |
S.M.A.R.T. | Y |
Dimension (WxLxH/mm) | 69.85 x 99.85 x 9.20 |
Vibration | 20G@7~2000Hz |
Shock | 1500G@0.5ms |
MTBF | >3 million hours |
Storage Temperature | -55°C ~ +95°C |
Operation Temperature | Standard Grade: 0°C ~ +70°C; Industrial Grade: -40°C ~ +85°C |
产品料号:
Operation Temp. | 4GB | 8GB | 16GB | 32GB | 64GB | 128GB | 256GB | 512GB |
Standard Grade (0°C ~ +70°C) | DES25-04GD07AC1DB | DES25-08GD06SCCQB | DES25-16GD06SCCQB | DES25-32GD06SCCQB | DES25-64GD06SCCQB | DES25-A28D06SCCQB | DES25-B56D06SCCQB | DES25-C12D06SCCQT |
Industrial Grade (-40°C~+85°C) | DES25-04GD07AW1DB | DES25-08GD06SWCQB | DES25-16GD06SWCQB | DES25-32GD06SWCQB | DES25-64GD06SWCQB | DES25-A28D06SWCQB | DES25-B56D06SWCQB | DES25-C12D06SWCQT |
Operation Temp. | 4GB | 8GB | 16GB | 32GB | 64GB | 128GB | 256GB | 512GB |
Standard Grade (0°C ~ +70°C) | DES25-04GD07AC1DB | DES25-08GD06SCCQB | DES25-16GD06SCCQB | DES25-32GD06SCCQB | DES25-64GD06SCCQB | DES25-A28D06SCCQB | DES25-B56D06SCCQB | DES25-C12D06SCCQT |
Industrial Grade (-40°C~+85°C) | DES25-04GD07AW1DB | DES25-08GD06SWCQB | DES25-16GD06SWCQB | DES25-32GD06SWCQB | DES25-64GD06SWCQB | DES25-A28D06SWCQB | DES25-B56D06SWCQB | DES25-C12D06SWCQT |
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1.SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以其速度表现更好,很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
2.MLC全称是多层式储存(Multi Level Cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为固态硬盘中应用为广泛的MLC NAND闪存,特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,MLC的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比SLC低,官方给出的可擦写次数仅为1万次,但是一般为3000-10000次.
3.TLC即Triple-Level Cell的缩写,是2bit/cell的MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。 TLC特点:1、存储密度高,容量达到MLC的1.5倍。 2、制造成本低,其价格较之MLC闪存降低50%。 3、制造工艺仅次于MLC,高于SLC。 4、使命寿命低,仅有500-1000次,理论上的读写速度慢。
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