宽温内存条 ddr4 32G

厂商 ：北京齐昂电子科技有限公司

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  • 主营产品：
  • 国产飞腾
  • innodis电子盘
  • 工业级CF卡
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商品详细描述

宽温系列

强固型工規級的DIMM系列，是专为极高、极低、或是忽冷忽热的严峻温差环境所设计。我们的内存模块皆通过JEDEC标准，并可在 -40°C~85°C 温度下运作。

概述: 

ddr4 WT (宽温度) udimm 提供了业界的内存速度，2666mt / s-适合任何车载，监视，自动化和嵌入式应用程序。 这些模块符合所有相关的 jedec 标准，可以在 -40 °c 到85 °c 的温度下工作，有4gb，8gb，16gb 和32gb 的容量。 2133mt / s 和2400mt / s 模块也可用。

规格：

Interface DDR4
bbbb Factor WT UDIMM
Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s
Capacity 4GB, 8GB, 16GB, 32GB
Function Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number 288pin
bbbbb 64Bits
Voltage 1.2V
PCB Height 1.23 Inches
Operating Temperature -40°C to 85°C
30μ” Golden Finger Y
Anti-Sulfuration Y

产品料号：

Density  
                  		Part Number Rank Voltage Description
4GB 512Mx8 M4U0-4GMSJISJ 1Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
8GB 512Mx8 M4U0-8GMSKISJ 2Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
16GB 1Gx8 M4U0-AGM1KISJ 2Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
32GB 1Gx8 M4U0-BGS2K5IK 2Rx8 1.2V DDR4 2666 WT UDIMM


宜鼎抗硫化技术

硫在很多环境中都很常见，而在工业环境下，当DRAM中的银合金接触硫化气体时，就会发生腐蚀反应，并降低导电性并导致产品失效。宜鼎所推出的专业抗硫化技术，通过抗硫化ASTM B809-95的严格测试规范，能有效抵御
环境中的硫化影响。
提供保护展现性能
面对日益严峻的工业环境，我们仍坚持提供高品质的产品，硫化气体所带来的威胁，我们率先为全系列DDR4都加入抗硫化技术，为每一件产品提供隔离保护，以业界的产品标准，将产品规格提升。
Innodisk has implemented full anti-sulfuration protection for all DDR4 modules.
 
抗硫纳入标准化产品极限再突破
硫化物对于工业环境是一个潜在威胁，环境中只存在着极少量的硫化气体，它可能造成设备腐蚀。宜鼎抗硫化隔离技术，可以确保DRAM模组运行无虞。
DRAM with Anti Sulfur Protective Layer

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超低成本，极高回报
Side Fill 技术是一种简单又经济实惠的强固型解决方案，若您的产品常因极端环境影响，造成维护成本增加，使用Side Fill 技术进行设备强固化，将会是好的解决方案。这种做法不仅节省成本，亦可降低系统当机所带来的损失。
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