90V三相栅极驱动芯片

产品简述： PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极 驱动器，适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了si区时间和上下管直 通保护，阻止半桥电路损坏。为了防止因芯 片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内 部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压 BCD 制程和内置共模噪声xiaochu技术使得高边驱动器在 高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的 负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以 通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的 待机模式. 特征 ? 内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器 ? 内置了死区时间 ? 内置直通保护 ? 高边和低边驱动器内置欠压锁定 ? 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平 ? ENB 引脚控制进入到待机模式 ? 驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA ? 死区时间：0.5μs(typ.) ? youxiu dv/dt 共模噪声xiaochu电路 ? 具有负瞬态电压忍受能力 ? 低 di/dt 栅极驱动特性，更好的 EMI 性能 ? 工作温度范围：-40℃ 至 125℃ ? 小尺寸封装：TSSOP20L/24L, QFN24 产品应用 ? 电动车，电动工具应用中三相马达驱动 ? 其他电池供电产品中马达驱动 ? 其他三相逆变器