AO4448-AOS美国万代

FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta） 驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 16 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 4.2V @ 250?A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 34nC @ 10V Vgs（大值） ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 2005pF @ 40V FET 功能 - 功率耗散（大值） 3.1W（Ta） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 8-SOIC 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 深圳市九亨电子有限公司 自成立以来，本着诚信原则，以顾客至上，互利互惠的经营理念，立足深圳，面向国际市场，赢得广大客户一致的信赖和好评。公司主要代理AOS美国万代，主要提供功率MOSFET，电源IC和瞬态电压抑制器TVS，以满足当今先进的电子系统和消费类电子对于电源的复杂的要求。我们相信，一个成熟的现代企业拥有的不仅仅是高质的产品，公司以科学现代的管理，充分利用高科技术的发展，将“顾客至上，互利互惠“的理念贯穿于产品销售、服务的始终。欢迎广大客户来电咨询！