一氧化硅靶材SiO磁控溅射靶材

科研实验专用 一氧化硅靶材SiO磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料 产品介绍 一氧化硅(SiO)常温常压下为黑棕色至黄土色无定形粉末，难溶于水，熔点：1702°C，沸点：1880°C，密度2.13g/cm?，一氧化硅不太稳定，在空气中会氧化成二氧化硅膜而钝化，仅在高于1200℃才稳定；在氧气中燃烧，和水反应生成氢气。一氧化硅微粉末因极富有活性，可作为精细陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉末原料；用作光学玻璃和半导体材料的制备；在真空中将其蒸发，涂在光学仪器用的金属反射镜面上，作为保护膜；半导体材料的制备。 产品参数 中文名 一氧化硅 化学式 SiO 分子量 44.08 熔点 1702℃ 沸点 1880℃ 密 度 2.13g/cm3 纯度 99.99% 支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！ 产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装 适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库