SC92F8270

8PIN，4K FLASH ROM,独立128BEEPROM，384B SRAM，6个GP I/O，5路双模Touch Key（高灵敏度模式，高可靠度模式），3个16位Timer，1路8位PWM，触摸库.

工作电压：2.4V~5.5V

工作温度：-40 ~ 85℃

封装：

SC92F8270 (SOP8)

内核:  1T 8051

Flash ROM：4KB Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）

IAP：可code option成0K、0.5K、1K或4K

EEPROM：128Byte，无需擦除，10万次写入，10年以上保存寿命

SRAM：内部256Byte，外部128Byte

系统时钟: 内建高频 24MHz 振荡器

lIC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为：

n24MHz @3.7~5.5V

n12MHz/6MHz/2MHz @2.4~5.5V

l频率误差：跨越 (4.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境, 不超过 ±1%。

内建低频 128kHz LRC 振荡器

l频率误差：跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境, 频率误差不超过 ±4%。

l作为Base Timer 时钟源，可唤醒STOP。

l作为WDT的时钟源

低电压复位（LVR）：

l复位电压有4级可选：分别是:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V

l缺省值为用户烧写Code Option所选值

Flash烧写和仿真：

l2线JTAG烧写和仿真接口

中断（INT）：

lTimer0, Timer1, Timer2, INT0, INT2, PWM，Base Timer，TK 共8 个中断源

l外部中断有2个中断向量，共4个中断口，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断

l两级中断优先级可设

数字外围：

l最大6个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻

lP0、P2口源驱动能力分四级控制

l全部IO具有大灌电流驱动能力（50mA）

l11位WDT，可选时钟分频比

l3个标准 80C51 定时器Timer0、Timer1和Timer2

l1路共周期，占空比可调的PWM

模拟外围：

l5通道双模触控电路，可配置为高灵敏度模式或高可靠模式：

n高灵敏度模式可适应隔空按键触控、接近感应等对灵敏度要求较高的触控应用

n高可靠模式具有很强的抗干扰性，可通过10V动态CS测试

n可实现5路触控按键及衍生功能

n高灵活度开发软件库支持，低开发难度

n自动化调试软件支持，智能化开发

省电模式:

lIDLE Mode，可由任何中断唤醒

lSTOP Mode，由 INT0、INT2、BaseTimer和TK唤醒