VTI516NF08LM

厂商 :英尚国际微电子

广东 深圳
  • 主营产品:
  • 集成电路
  • 电子元器件
  • SRAM
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商品详细描述
SRAM存储器VTI516NF08LM


SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,功耗较小,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。

SRAM芯片的特点如下:
1读取速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
2. 芯片集成度低,掉电后保存不了数据,属于易失性存储芯片,相对于其他类型存储芯片功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,主要用于关键器件的使用,有利于整体效率的提高

Density Org. Temp. Vcc(V) Speed(ns) Package Packing Status P/N









4Mbit 256K x 16 Industrial 5.0 10 44TSOP2 Tray MP VTI504HF16VM
4Mbit 256K x 16 Industrial 5.0 10 48BGA Tray MP VTI504HF16LM
8Mbit 1M x 8 Industrial 1.8 8/10/12 44TSOP2 Tray MP VTI508LF08VM
8Mbit 1M x 8 Industrial 1.8 8/10/12 48BGA Tray MP VTI508LF08LM
8Mbit 1M x 8 Industrial 3.3 8/10 44TSOP2 Tray MP VTI508NF08VM
8Mbit 1M x 8 Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray MP VTI508NF08LM
8Mbit 1M x 8 Industrial 5.0 10 44TSOP2 Tray MP VTI508HF08VM
8Mbit 1M x 8 Industrial 5.0 10 48BGA Tray MP VTI508HF08LM
8Mbit 512K x 16 Industrial 1.8 8/10/12 44TSOP2 Tray MP VTI508LF16VM
8Mbit 512K x 16 Industrial 1.8 8/10/12 48BGA Tray MP VTI508LF16LM
8Mbit 512K x 16 Industrial 3.3 8/10 44TSOP2 Tray MP VTI508NF16VM
8Mbit 512K x 16 Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray MP VTI508NF16LM
8Mbit 512K x 16 Industrial 5.0 10 44TSOP2 Tray MP VTI508HF16VM
8Mbit 512K x 16 Industrial 5.0 10 48BGA Tray MP VTI508HF16LM
16Mbit 2M x 8 Industrial 1.8 8/10/12 44TSOP2 Tray MP VTI516LF08VM
16Mbit 2M x 8 Industrial 1.8 8/10/12 48BGA Tray MP VTI516LF08LM
16Mbit 2M x 8 Industrial 3.3 8/10 44TSOP2 Tray MP VTI516NF08VM
16Mbit 2M x 8 Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray MP VTI516NF08LM
16Mbit 2M x 8 Industrial 5.0 10 44TSOP2 Tray MP VTI516HF08VM
16Mbit 2M x 8 Industrial 5.0 10 48BGA Tray MP VTI516HF08LM

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