厂商 ：深圳市光道激光技术有限公司
广东 深圳- 主营产品：
- 陶瓷
- 蓝宝石
- 碳纤维
简要介绍
氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
详细参数
氮化铝陶瓷基片(AlN)
AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
主要应用于：高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。
产品特点
高导热性
热膨胀系数跟Si接近
优良的绝缘性能
较低介电常数和介质损耗
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AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标 |
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性能内容 |
性能指标 |
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体积密度 (g/cm3) |
3.335 |
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抗热震性 |
无裂纹、炸裂 |
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热导率 (30℃, W/m.k) |
≥170 |
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膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃) |
2.805×10-6 |
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抗折强度 (MPa) |
382.7 |
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体积电阻率(Ω.cm) |
1.4×1014 |
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介电常数(1MHz) |
8.56 |
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化学稳定性 (mg/cm2) |
0.97 |
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击穿强度 (KV/mm) |
18.45 |
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表面粗糙度(μm) |
0.3~0.5 |
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翘曲度(length‰) |
≤2‰ |
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外观/颜色 |
致密、细晶/ 暗灰色 |
加工设备：
