S34ML01G200TFI00

品牌

一般描述
Spansion的S34ML01G200TFI000提供3.3 VCC和VCCQ电源
供应，和X8的I/O接口。它的NAND单元为固态提供了最具成本效益的解决方案。
大容量存储市场。内存被分为可以单独擦除的块，因此可以
有效保存数据，同时删除旧数据。页面大小是（2048 +备用）字节。
为了延长NAND闪存设备的使用寿命，ECC的实现是强制性的。
该芯片支持CE #不保健功能。此函数允许直接从
通过单片机的NAND闪存设备，由于CE #转换不停的读操作。
这些设备具有读缓存特性，可以提高大文件的读取吞吐量。在缓存
读取时，设备将数据加载到高速缓存寄存器中，而以前的数据被传输到I/O缓冲区。
被阅读。
像所有其他2 KB页NAND闪存设备，程序运行通常写入页的300?
擦除操作通常可以在3毫秒完成（s34ml01g2）在一个128 kb的块。此外，由于
多平面结构，这是有可能的程序两页一次（每一个平面）或抹去两块
一次（再一次，每一次）。多平面架构允许程序的时间减少了40%，
擦除时间减少50%。
在多平面操作，在页面中的数据可以读出每一个字节在25纳秒的时间周期。I/O引脚充当
用于命令和地址输入以及数据输入/输出的端口。此接口允许减少引脚。
计数和容易迁移到不同的密度，没有任何重排的足迹。
命令、数据和地址是异步采用CE #，
片上程序/擦除控制器自动控制所有读、程序和擦除功能，包括脉冲。
重复，在需要的地方，和内部核查和数据裕。WP #引脚可提供
对程序和擦除操作的硬件保护。
输出引脚的R / B #（开漏缓冲器）信号在每个设备的运行状态。它确定如果
程序/擦除/读取控制器当前处于活动状态。一个开漏输出的使用允许就绪/忙
从几个存储器引脚连接到一个单一的上拉电阻。在一个有多重存储器的系统中
R／B #引脚可以连接在一起提供一个全局的状态信号。
重编程功能允许管理缺陷块的优化网页时，程序
操作失败时，数据可以直接在同一个数组中的另一页中进行编程，而不需要
耗时的串行数据插入阶段。复制回操作自动执行嵌入式操作。
错误检测操作：每528字节可检出4位错误。有了这个功能，它就不再
需要使用外部机制来检测复制返回操作错误。

该装置可在TSOP48（12×20毫米）封装

产品图片

特征:

?OTP（一次性可编程）地区，这是一个限制访问的区域敏感数据/代码可以

永久保存。

?编号（唯一标识符），它允许设备唯一标识。

鲜明的特点

?密度
–1 Gbit
?架构
–输入/输出总线宽度：8
?NAND闪存接口
–开放NAND闪存接口（ONFI）1标准
-地址、数据和命令多路复用
?电源电压
- 3.3V设备：VCC = 2.7V～3.6V
?安全
-一次性可编程（OTP）区域
-序列号（唯一ID）
-硬件程序/擦除在电源过渡期间被禁用

?操作温度
-商业：0°C至70°C
-延长：25°C至85°C

-工业：- 40°C至85°C

封装尺寸

性能
?页读/程序
–随机存取：25?S（马克斯）
-顺序访问：25纳秒（min）
–程序时间/多项目时间：300?s（典型值）
?块擦除（s34ml01g2）
-块擦除时间：3毫秒（典型值）
?块擦除/多平面擦除（s34ml02g2，s34ml04g2）
-块擦除时间：3.5毫秒（典型值）
?可靠性
- 10年数据保留（典型值）
零块是有效的块，至少有效1000。
程序擦除周期
?封装选项
-无铅和Low Halogen
–48引脚TSOP 12 x 20 x 1.2毫米

来源：深圳市浩正芯电子有限公司

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