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FET 类型
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2 N 沟道（双）共漏
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FET 功能
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逻辑电平门
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漏源极电压（Vdss）
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20V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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7A
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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20 毫欧 @ 7A，4.5V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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1.1V @ 250?A
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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14nC @ 4.5V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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1295pF @ 10V
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功率 - 最大值
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1.5W
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装
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封装/外壳
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8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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供应商器件封装
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8-TSSOP
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