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商品详细描述
基本参数/AO3401 编辑
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
Id时的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W
安装类型：表面贴装
英文描述：P-Channel Enhancdivent Mode Field Effect Transistor
中文描述：的P -沟道增强型场效应晶体管
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