类别：FET - 单描述：MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-SOIC系列：MOSFET N 通道，金属氧化物FET特点：逻辑电平门漏极至源极电压333Vdss444：30V电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.6A开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 11.6A，10VId时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 15V功率_最大：3.1W安装类型：表面贴装封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装：8-SOIC包装：剪切带 (CT)
