电源专用兼容FQPF4N60

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SVF4N60规格：

　　种类：绝缘栅（MOSFET）

　　沟道类型：N沟道

　　导电方式：增强型

　　材料：N-FET硅N沟道

　　封装外形：P-DIT/塑料双列直插

　　用途：D-G双栅四极

　　开启电压：600（V）

夹断电压：600（V）

　　跨导：10（μS）

　　极间电容：10101（pF）

　　低频噪声系数：101（dB）

　　最大漏极电流：40000（mA）

最大耗散功率：100（mW）

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外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值

  

，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

  

叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。