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重结晶碳化硅也称作再结晶碳化硅，它以高纯超细碳化硅为原料，碳化硅在2400℃高温及一定压力的气氛保护下，发生蒸发 - 凝聚再结晶作用，在颗粒接触处发生颗粒共生形成的烧结体。其基本不收缩，但具有一定数量孔隙。
材料科学技术（一级学科），无机非金属材料（二级学科），陶瓷（三级学科），先进陶瓷（四级学科）
碳化硅材料的分类
SiC质制品因制备方式、应用领域及形态等而多种多样。SiC陶瓷作为其中的一种，是陶瓷领域的一种高性能材料，尤其偏向于高强度、高硬度以及耐高温性能等，按其烧结方式可分为：反应烧结碳化硅(RBSiC)、无压固相烧结碳化娃(SSiC)、液相烧结碳化娃(LSiC)、热压烧结碳化娃(HPSiC)和再结品碳化硅(RSiC)等。

RBSiC和RSiC是最早出现的，但代表着SiC制品的最低和最高制备温度的极限。前者具有较高的致密度，但存在较高的残留硅，导致高温性能不佳后者因存在较高的孔隙率而强度较低，而因其较高的纯度以及没有晶界杂质相而具有较高的高温强度，常用于高温结构材料随后出现HPSiC、SSiC以及LSiC，这些又随着研究的深入而使材料性能和工艺性能不断提高。如热压烧结从不加助剂，发展到出现ABC系等热压烧结助剂，降低了热压温度，且可通过后期热处理进行显微结构的设计得到高强或者高韧性材料；无压烧结从开始的C+B(B4C)体系助剂发展到AI4C3-B4C-C等液相烧结助剂也从AI2O3；AI2O3-Y2O3； AI2O3-Y2O3-CaO，AI2O3-Y2O3 系发展到 AI2O3-其他稀土系(La2O3、LU2O3、Gd203,、SC2O3和Sm203)、AIN-稀土氧化物体系助剂,烧结温逐步降低,助剂高温挥发性问题也逐步得到改善，力学性能和结构设计也逐渐提高和改进。这些SiC材料具有不同的结构和组成，因此可在不同的应用领域选择合适碳化硅制品。