CJ2301

CJ2301 P沟道MOSFET 20-V（D-S）
SOT-23
特征
1。门
TrenchFET功率MOSFET
2。源
3.排水

应用
用于便携式设备的Z负载开关
Z直流变换器
标记
最大额定值（TA = 25度除非另有说明）
参数符号值单位
漏源电压VDS - 20
栅源电压VGS±8
v
连续漏电流标识- 2.3
脉冲漏极电流IDM - 10
连续漏源二极管电流为-0.72
一
最大功率耗散放电0.4 W
从结到环境的热阻（T 5S）R JA 312.5℃/ W
结温Tj 150
存储温度55±150℃~最大容许

包装说明：
采用SOT - 23部分装运胶带。载体
磁带是由一个耗散（充满碳）
聚碳酸酯树脂。盖带是多层的
薄膜（热活化胶粘剂）
由聚酯薄膜、粘合剂层、密封剂组成，
和防静电喷涂剂。这些缠绕的部分
标准选项是出货3000单位每7“
或17.8cm直径卷筒。彩色胶片是清晰的
是由聚苯乙烯塑料（防静电）
涂层）。