0603 10V 685K X7

ATC100E102 (1000pF) 频率= 30MHzESR = 0.018欧姆（18毫欧姆）；设备线路阻抗=50欧姆。

注意，100E系列   允许功率耗散是大约5瓦。

解：计算这一线路的射频电流，再以电流计算电容中的射频功率耗散。电流=(功率/ 阻抗）1/2 (这是这一线路联系欧阳：15217057671  0755-29120592 QQ：2355274968 可获得免费寄样服务，随时欢迎您的来 电内的电流）（1000/50) 1/2 =4.47安培电容中实际耗散功率：P = I

2 x ESR (这是电容将耗散的功率)P=4.47 x 4.47 x 0.018 = 0.34瓦。

这个结果意味着在一个1000瓦射频功率，50欧姆阻抗的设备中，只有0.34瓦是由于ESR 而被电容消耗掉的。因此，电容由于ESR只消耗了它额定   功率的6.8%。由于电容ESR 损耗极低，电容温升可以忽略。

介质损耗（Rsd)   联 系欧阳免费寄样15217057671免 费索样

介质成分，不纯度和微观结构例如晶粒大小，组成和气孔多少（密度）这些介质特性决 定陶瓷电容的介质损耗正切。每种介质都有自己的损耗因数，或损耗正切。损耗正切数值等 于耗散系数（DF)，是电容介质在射频下损耗的量度。这个损耗造成介质发热。在极端情 况下，热损坏能造成设备失效。耗散系数是介质损耗量级很好的指标，通常是在低频，即 1MHz下测定的。在这频率下介质损耗是电容损耗的主要成分。

金属损耗（Rsm)   联 系欧阳免费寄样15217057671免 费索样

金属损耗取决于电容结构中所有金属各自的电阻特性，和趋肤效应引起的随频率变化的 电极损耗。这包括电极，终端和阻挡层等任何其他金属。Rsm的作用也是使电容发热。在极 端情况下，热损坏能造成设备失效。这些损耗包括欧姆损耗和趋肤效应损耗。多数多层陶瓷 电容的“趋肤效应”损耗通常发生在30MHz以上的频率。下例给出一个ESR，由金属的Rsm 构成，数值由频率决定。例：一个100pF电容在30MHz时ESR是18毫欧姆。它在120MHz

时ESR是多少？

解：计算频率比值的平方根：（120/30)1/2 = (4) 1/2 =2120MHz时ESR是30MHz时

的2倍，即36毫欧姆。

下表给出ATC180R系列22pF电容的介联系欧阳：15217057671  0755-29120592 QQ：2355274968 可获得免费寄样服务，随时欢迎您的来 电质损耗Rsd和金属损耗Rsm。两种损耗分别在不 同频率下测定，相同频率下测得的两种损耗相加得到该频率下的ESR。注意低频下占主导 地位的是介质损耗Rsd，高频下则是金属损耗Rsm。其他容值的电容情况相似，只是Rsd和 Rsm分占比例不同。