PLD脉冲激光沉积

【设备主要用途】
        PLD450I型脉冲激光沉积设备采用PLD脉冲激光沉积技术，用于制备高温超导薄膜、半导体膜、铁电薄膜、硬质薄膜以及微电子和光电子用多元氧化物薄膜及异质结，也可用于制备氮、碳、硅化合物及各种有机—无机复合材料薄膜及金刚石薄膜等。
【设备主要组成】
        设备由沉积腔室（单室球形或圆筒形）、样品加热转台、激光入射转靶、激光窗、电源控制系统、激光束扫描系统、计算机控制转靶的旋转、脉冲准分子激光器等组成。
【设备技术性能指标】
        极限真空：≤5×10-5Pa
        真空室尺寸：可有多种结构形式，球形：Φ300mm，Φ450；圆筒形：Φ450×H400，或配有进样室。
        样品加热转台：样品尺寸：Φ20～Φ50mm
        加热温度：≥700℃～1000℃
        样品自转：0～20 r/min可调。
        激光转靶：四～六工位，公转换位，靶材自转0～20 r/min可调。
        入射石英窗：石英窗，可入射193nm或248nm脉冲激光束。
【设备安装条件】                                                                        
        供电电源：三相380V 50Hz  8KW
        冷却水：水压≥2kg/cm2 ，流量≈0.6m3/h
        占地面积：主机：1000mm×850mm  
        电控柜：600mm×600mm
        总重量：约450kg


注：可根据用户要求订制。
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