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产品系列
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串行I2C接口
型号 容量 电压 最大工作电流 读写频率 擦写次数 掉电数据保存 封装
MB85RC04V 4K bits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC16 16K bits 2.7 V - 3.6 V 100uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC16V 16Kbits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC64 64K bits 2.7 V - 3.6 V 150uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC64V 64K bits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC128A 128K bits 2.7 V - 3.6 V 150uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC256V 256K bits 2.7-5.5V 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC512T 512K bits 1.8-3.6V 3.4MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RC1MT 1M bits 1.8-3.6V 3.4MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
串行SPI接口
型号 容量 电压 最大工作电流 读写频率 擦写次数 掉电数据保存 封装
MB85RS16N 16K bits 2.7 V - 3.6 V 2.4mA 20Mhz 1万亿 10年(+85℃) SOP8
MB85RS64V 64K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 20Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RS128B 128K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 25Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RS256B 256K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 25Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RS64 64K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 20Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RS1MT 1M bits 1.8-3.6V 10mA 30Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RS2MT 2M bits 1.8-3.6V 10mA 25Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RS512T 512K bits 1.8-3.6V 10mA 30Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
MB85RDP16LX 16K bits 1.65-1.95V 15Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8
并行接口
型号 容量 电压 最大工作电流 访问时间 擦写次数 掉电数据保存 封装
MB85R256F 256k bits 2.7 V - 3.6 V 10mA 150ns 1百亿 10年(+70℃) SOP/TSOP28
MB85R1001A 1M bits 3.0 V - 3.6 V 15mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48
MB85R1002A 1M bits 3.0 V - 3.6 V 15mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48
MB85R4001A 4M bits 3.0 V - 3.6 V 20mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48
MB85R4002A 4M bits 3.0 V - 3.6 V 20mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48
MB85R4M2T 4M bits 1.8-3.6V
内置RFID的FRAM
型号 容量 接口协议 调制方式 掉电数据保存 封装
MB89R118C 2KB ISO/IEC 15693, 18000-3 ASK 10% /100% 10年(+70℃) 裸片(Wafer)
MB89R119B 256B ISO/IEC 15693, 18000-3 ASK 10% /100% 10年(+85℃) 裸片(Wafer)
MB97R803/4 4KB ISO/IEC 18000-6C DSB/SSB/PR-ASK 10年(+85℃) 裸片(Wafer)
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FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
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FRAM的优势
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与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：
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非易失性
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即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
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与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
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更高速度写入
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像SRAM一样，可覆盖写入
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不要求改写命令
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对于擦/写操作，无等待时间
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写入循环时间 =读取循环时间
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写入时间： E2PROM的1/30,000
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具有更高的读写耐久性
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确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
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耐久性：超过100万次的 E2PROM
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具有更低的功耗
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不要求采用充电泵电路
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功耗：低于1/400的E2PROM
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与SRAM相比
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独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下：
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1. 总的成要缩减
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采用SRAM，你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且 FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
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维护自由；无需更换电池
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缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件
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2.环保型产品（减少了环境负担）
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用过的电池成为工业废料。在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。
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无废弃电池
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降低工业负荷，实现环保
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与E2PROM/闪存相比
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与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势，具体如下：
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1. 性能提升
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FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
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总之，FRAM具有下列优势：
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能够在电源中断的瞬间备份数据
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能够进行频繁的数据记录
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能够保证更长的电池寿命
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2. 总的成本缩减
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在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。因此，利用FRAM可以降低总成本！
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A.当写入出厂参数时，缩短了写入时间
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B.减掉了产品上很多的部件
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