MOS(场效应管)/AO8810

MOS(场效应管)/AO8810

• 描述：
  MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
• 湿气敏感性等级（MSL）：
  1（无限）
• FET类型：
  2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：
  逻辑电平门
• 漏源极电压（Vdss）：
  20V
• 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：
  7A
• 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：
  20 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
  1.1V @ 250?A
• 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：
  14nC @ 4.5V
• 不同Vds时的输入电容（Ciss）：
  1295pF @ 10V
• 功率-最大值：
  1.5W
• 工作温度：
  -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：
  表面贴装
• 封装/外壳：
  8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装：
  8-TSSOP