石墨烯专用制备高温炉

TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统

产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要功能和特点：

1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；

2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；

3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；

4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。

 

 

开启式真空管式炉技术参数

 

 

 

石英管尺寸 L1400mm  Φ（60、80、100）

加热元件 掺钼铁铬铝合金电阻丝

测温元件 K型热电偶

加热区长度 410mm  

恒温区长度 200mm

工作温度 ≤1100℃

控温模式 模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能

控温精度 ±1℃

升温速率 ≤20℃/min

电功率 AC220V/50HZ/3KW

质量供气系统技术参数

 

 

 

 

外形尺寸 600x600x600mm

标准量程 50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； 

数显压力表测量范围 -0.1Mpa～0.15Mpa

极限压力 3MPa

针阀 316不锈钢

截止阀 Φ6mm 316不锈钢针阀

电功率 AC220V/50HZ/20W

响应时间 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec

准确度 ±1.5%

线性 ±0.5～1.5%

重复精度 ±0.2%

接口 Φ6,1/4''

真空系统技术参数

 

 

 

 

外型尺寸 600×600×600mm

工作电电压 220V±10%  50~60HZ

功率 400W

抽气速率 4L\s

极限真空 4X10-2Pa

实验真空度 1.0X10-1Pa

容油量 1.1L

进气口口径 KF25

排气口口径 KF25

转速 1450rpm

射频电源

信号频率 13.56 MHz±0.005%

功率输出范围 5-300W   5W-500W可选

最大反射功率 200W

射频输出接口 50 Ω, N-type, female

功率稳定度 ±0.1%

谐波分量 ≤-50dbc

供电电压 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ

整机效率 >=70%

功率因素 >=90%

冷却方式 强制风冷