富士通 MB85RC256V SOP8 铁电存储厂家、批发、价格、电话

厂商：深圳市一恒科创技术有限公司

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商品详细描述

购买说明：电压：3.0-5.5V , 本店只做原装，品质保证，现货特价支持，可直接拍下发货，100pcs以上包邮，省外只包10元邮费！

FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。

与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：
非易失性
即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）

更高速度写入
像SRAM一样，可覆盖写入
不要求改写命令

对于擦/写操作，无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间： E2PROM的1/30,000

具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
耐久性：超过100万次的 E2PROM

具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗：低于1/400的E2PROM

独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下：

采用SRAM，你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且 FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。

用过的电池成为工业废料。在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。

与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势，具体如下：

FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
总之，FRAM具有下列优势：

在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。因此，利用FRAM可以降低总成本！
A.当写入出厂参数时，缩短了写入时间
B.减掉了产品上很多的部件

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