二次离子质谱(SIMS)检测薄膜的成份

    二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。 它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析. 这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或低于ppm痕量级以下。
    SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、 失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。 

 SIMS应用：
?  掺杂剂与杂质的深度剖析 
  ?薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族） 

  ?超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析 

  ?硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N 

  ?工艺工具（离子植入）的高精度分析

主要优点：

 SIMS应用优点：
? 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度 
? 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率 
? 小面积分析（10 ?m 或更大） 
? 检测包含H在内的元素及同位素

应用局限性：
? 破坏性分析 
? 无化学键联信息 
? 只能分析元素 
? 样品必须是固态以及真空兼容 
? 要分析的元素必需是已知的