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商品详细描述
2SC3356(R25)高频晶体管,高频宽带低噪声放大器
2SC3356-T1(R23)
2SC3356-T1(R24)
2SC3356-T1(R25)
品牌:NEC
封装:SOT-23-3
包装:3000PCS/盘
产品类型:高频晶体管
产地:日本
详细介绍:
2SC3356硅超高频低噪声功率管
1.2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。
2.主要应用:2SC3356主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。
3.主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 11.5dB
低躁声: NF典型值为 1.5 dB
特征频率: fT典型值为 7GHz
4.极限工作条件范围 (T=25℃):
集电极基极击穿电压VCBO-20V
集电极发射极击穿电压VCEO-12V
发射极基极击穿电压VEBO-3V
集电极电流IC-100mA
功耗PC 200mW
2SC3356-T1(R23)
2SC3356-T1(R24)
2SC3356-T1(R25)
品牌:NEC
封装:SOT-23-3
包装:3000PCS/盘
产品类型:高频晶体管
产地:日本
详细介绍:
2SC3356硅超高频低噪声功率管
1.2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。
2.主要应用:2SC3356主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。
3.主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 11.5dB
低躁声: NF典型值为 1.5 dB
特征频率: fT典型值为 7GHz
4.极限工作条件范围 (T=25℃):
集电极基极击穿电压VCBO-20V
集电极发射极击穿电压VCEO-12V
发射极基极击穿电压VEBO-3V
集电极电流IC-100mA
功耗PC 200mW
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