厂商 :北京飞斯科科技有限公司
北京 北京- 主营产品:
- 阿皮松真空润滑脂
- 超导磁体
- 液氦液氮杜瓦
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商品详细描述
APIEZON N脂是当今使用最广泛的低温真空脂之一,在低温下能明显提高热传导且不会出现裂纹。该脂也广泛应用于室温环境,参看“Apiezon N真空脂中文介绍”“Apiezon N真空脂英文介绍”。
低温热传导
Apiezon N脂能显著提高制冷系统的热传导能力,可将制冷系统的冷量快速传递给超导磁体、低温恒温器、温度传感器或其它需要快速获得低温的系统。
Apiezon N脂可填充相邻表面的微孔,且低温下不会开裂或出现细纹,增大了总接触面积,提高了热传导能力。
尽管Apiezon N脂的绝对热导率比铟低,但是经过NASA Ames研究中心证实,同铟相比,Apiezon N脂连接的金属接触面压紧后导热能力更强,且无蔓延等现象。该脂能经受-273度 到30度 范围内的反复热冲击,是低温变温实验的理想选择。该脂磁化率极低,非常适合超导磁体制造领域。
ApiezonN脂使用简单、性价比高,液氦温度下可显著提高热传导,广泛应用于磁共振成像的超导磁体、低温恒温器等制造领域。
固定传感器
Apiezon N脂用来固定传感器非常理想,尤其适合于将传感器固定在小孔里,而且在室温下操作简单,在低温下凝固,从而保证传感器容易去除且不会被损坏。
固定样品
半导体芯片、激光二极管和晶体等低温测试非常重要,Apiezon N脂可提高样品和样品舟之间或样品舟与低温恒温器冷指间的热传导能力,使样品达到尽可能低的温度,提高了样品测试灵敏度。该脂紫外照射下会发射荧光,光学测试时可用样品盖住该脂或采用校准等办法来消除荧光的影响。
低温真空密封
Apiezon N脂室温下饱和蒸汽压极低,且温度越低,饱和蒸汽压越低(由饱和蒸汽压与温度特性曲线外推可知)。 该脂低温下不会开裂,即使经受反复热冲击仍能保持长期有效的密封,广泛应用于真空密封领域:如真空管线、冷阱、电子显微镜的光学接口、活塞、毛玻璃接头、低温阀门、Schlenk管线和液氦柔性管线的密封,将其涂在O圈表面可改善O圈低温下的密封效果。
无迁移
硅类脂会在样品表面发生蔓延,造成样品污染或光学表面失去光泽;而Apiezon N脂是烃类脂不存在上述问题。
低温热传导
Apiezon N脂可填充相邻表面的微孔,且低温下不会开裂或出现细纹,增大了总接触面积,提高了热传导能力。
尽管Apiezon N脂的绝对热导率比铟低,但是经过NASA Ames研究中心证实,同铟相比,Apiezon N脂连接的金属接触面压紧后导热能力更强,且无蔓延等现象。该脂能经受
ApiezonN脂使用简单、性价比高,液氦温度下可显著提高热传导,广泛应用于磁共振成像的超导磁体、低温恒温器等制造领域。
固定传感器
Apiezon N脂用来固定传感器非常理想,尤其适合于将传感器固定在小孔里,而且在室温下操作简单,在低温下凝固,从而保证传感器容易去除且不会被损坏。
固定样品
半导体芯片、激光二极管和晶体等低温测试非常重要,Apiezon N脂可提高样品和样品舟之间或样品舟与低温恒温器冷指间的热传导能力,使样品达到尽可能低的温度,提高了样品测试灵敏度。该脂紫外照射下会发射荧光,光学测试时可用样品盖住该脂或采用校准等办法来消除荧光的影响。
低温真空密封
Apiezon N脂室温下饱和蒸汽压极低,且温度越低,饱和蒸汽压越低(由饱和蒸汽压与温度特性曲线外推可知)。 该脂低温下不会开裂,即使经受反复热冲击仍能保持长期有效的密封,广泛应用于真空密封领域:如真空管线、冷阱、电子显微镜的光学接口、活塞、毛玻璃接头、低温阀门、Schlenk管线和液氦柔性管线的密封,将其涂在O圈表面可改善O圈低温下的密封效果。
无迁移
硅类脂会在样品表面发生蔓延,造成样品污染或光学表面失去光泽;而Apiezon N脂是烃类脂不存在上述问题。
典型特点 |
Apiezon N 脂主要特性 | |
滴点-ASTM.D 566-02(℃) |
42-52 |
低温热传导 |
典型工作温度范围(℃) |
-269到30 |
低温无细纹 |
饱和蒸汽压@20℃(Torr) |
6E-10 |
固定传感器 |
相对密度@20℃ |
0.911 |
固定样品 |
抗辐射性 |
不推荐 |
低温真空密封 |
释气特性-ASTM.E 595-93(2003)e1 |
无蔓延 | |
TML(总质量损失) |
<1% |
超高真空 |
CVCM(聚集挥发凝结物) |
<0.1% |
防卡死 |
对4球润滑测试-ASTM.D 2596-97(2002)e1 |
150kg |
高负载润滑 |
膨胀系数( |
0.00072 |
室温工作 |
热导率 |
非硅类脂 | |
@ |
0.194 |
|
|
0.095 |
|
体电阻 |
2E16Ωm |
|
介电常数 |
2.3 |
|
介质损耗 |
<0.0001 |
|
表面击穿电压 |
27KV |
|
电场强度 |
820V/mil |
|
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