厂商 ：深圳芯纳电子有限公司销售部
广东 深圳- 主营产品：
- 降压IC
- 锂电池充电I
- 电源管理IC
联系电话 ：18675572530
商品详细描述
锂电池包（多节锂电串联），移动电源，电池组，需恒压恒流充电：
XL4001，XL4101，XL4005+358
大功率锂电池包供电：XL6009,,XL6010，XL6011
车载充电芯片LED 驱动设计应用
1. 应用简要说明
XL4001 是一个150KHz 的固定频率PWM 降压DC-DC 转换器，2A 电流负载能
力，该电路应用简单，外部元器件比较少。鉴于LED 领域的系统需求，内部除了常
规的过流保护，过温度保护，输出短路保护外，还内置了专用LED 的CC，OVP。
CC 是通过电阻RCS 测量LED 电流并实现电流模式控制，在正常工作情况，
LED 电流由0.155V 的PWM 控制器内部参考电压除以RCS 电阻值所决定。即
I=0.155V/RCS，因为RCS 两端的电压降在正常工作条件下将一直保持在0.155V。
OVP 是通过电阻R1 和R2 测量输出电压并实现电压模式控制，一般OVP 设置
为比正常输出电压高10%。在芯片正常工作的时候，CC 起作用；当CC 这一路出
现问题，OVP 钳位输出电压，使LED 不会承受较大功率而烧毁。
PWM 调光这一块也可以调节4 脚FB 来实现，FB 基准为1.235V，一旦这一点
电位高于1.235V，关闭输出；低于1.235V 芯片工作。由于芯片本身的频率只有150K
Hz，所以在一定占空比的条件下，PWM 调光的速率不应该太快，建议在
100Hz-300Hz。
使能端EN 脚控制芯片输出，EN 脚电位为低电平（0.8V 以下）或者悬空的时候，芯片有输出；EN 脚电位为高电平（1.4V 以上），芯片关断输出。
其他几款同类型芯片如下：XL4011，XL4002，XL6002，XL4101，XL4102。
2. 技术特点
（1）用于LED 全集成方案，系统成本低，可靠性高；
（2）IC 内部CC，OVP 都是通过控制PWM 实现的；因此，输出电压，输出电
流，输出过压保护的精度更高，响应速度很快；内置过流保护、过温度保护等安全
措施；
（3）XL4001 为40V 高压双极工艺制造，更加“皮实”，应用于多种环境；由
于其为150K 固定频率，使得LED 驱动的EMI 设计相对容易。
测试数据见下图表，在输入电压36V，输出从1颗灯到10颗1W LED灯，
单路输出电流在350mA时，室温16℃，测试整个系统的效率。温度测试
点在芯片表面。
XL4001，XL4101，XL4005+358
大功率锂电池包供电：XL6009,,XL6010，XL6011
车载充电芯片LED 驱动设计应用
1. 应用简要说明
XL4001 是一个150KHz 的固定频率PWM 降压DC-DC 转换器，2A 电流负载能
力，该电路应用简单，外部元器件比较少。鉴于LED 领域的系统需求，内部除了常
规的过流保护，过温度保护，输出短路保护外，还内置了专用LED 的CC，OVP。
CC 是通过电阻RCS 测量LED 电流并实现电流模式控制，在正常工作情况，
LED 电流由0.155V 的PWM 控制器内部参考电压除以RCS 电阻值所决定。即
I=0.155V/RCS，因为RCS 两端的电压降在正常工作条件下将一直保持在0.155V。
OVP 是通过电阻R1 和R2 测量输出电压并实现电压模式控制，一般OVP 设置
为比正常输出电压高10%。在芯片正常工作的时候，CC 起作用；当CC 这一路出
现问题，OVP 钳位输出电压，使LED 不会承受较大功率而烧毁。
PWM 调光这一块也可以调节4 脚FB 来实现，FB 基准为1.235V，一旦这一点
电位高于1.235V，关闭输出；低于1.235V 芯片工作。由于芯片本身的频率只有150K
Hz，所以在一定占空比的条件下，PWM 调光的速率不应该太快，建议在
100Hz-300Hz。
使能端EN 脚控制芯片输出，EN 脚电位为低电平（0.8V 以下）或者悬空的时候，芯片有输出；EN 脚电位为高电平（1.4V 以上），芯片关断输出。
其他几款同类型芯片如下：XL4011，XL4002，XL6002，XL4101，XL4102。
2. 技术特点
（1）用于LED 全集成方案，系统成本低，可靠性高；
（2）IC 内部CC，OVP 都是通过控制PWM 实现的；因此，输出电压，输出电
流，输出过压保护的精度更高，响应速度很快；内置过流保护、过温度保护等安全
措施；
（3）XL4001 为40V 高压双极工艺制造，更加“皮实”，应用于多种环境；由
于其为150K 固定频率，使得LED 驱动的EMI 设计相对容易。
测试数据见下图表，在输入电压36V，输出从1颗灯到10颗1W LED灯，
单路输出电流在350mA时，室温16℃，测试整个系统的效率。温度测试
点在芯片表面。
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