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电容器的投切方式二
精度能达到0.5级,局放<5pC@14.4kV,介质损耗<0.1%,雷电冲击75kVAC,1.2/50μs,正负极性各 15 次
电子式无触点可控硅投切电容器装置(TSC)可控硅投切电容器,是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路,检测当施加到可控硅两端电压为零时,发出触发信号,可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等,因此不会产生合闸涌流,解决了接触器合闸涌流的问题。但是,可控硅在导通运行时,可控硅结间会产生一伏左右的压降,通常15KVAR三角形接法的电容器,额定电流22A,则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算,运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W,而且都变成热量,使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在,当未接电容时,即使可控硅未导通,其输出端也是高电压。优点:无涌流,无触点,使用寿命长、维修少,投切速度快(5ms内);缺点:价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右
电容器的分类
精度能达到0.5级,局放<5pC@14.4kV,介质损耗<0.1%,雷电冲击75kVAC,1.2/50μs,正负极性各 15 次。
(一)按介质材料的不同分类
电容器按其使用介质材料的不同可分为有机介质电容器(包括漆膜电容器、混合介质电容器、纸介电容器、有机薄膜介质电容器、纸膜复合介质电容器等)、无机介质电容器(包括陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、玻璃釉电容器等)、电解电容器(包括铝电解电容器、钽电解电容器、铌电解电容器、钛电解电容器及合金电解电容器等)和气体介质电容器(包括空气电容器、真空电容器和充气电容器等)。
(二)按作用及用途的不同分类
电容器按其作用及用途的不同可分为高频电容器、低频电容器、高压电容器、低压电容器、耦合电容器、旁路电容器、滤波电容器、中和电容器、调谐电容器。
电容器的投切方式三
精度能达到0.5级,局放<5pC@14.4kV,介质损耗<0.1%,雷电冲击75kVAC,1.2/50μs,正负极性各 15 次
复合开关投切电容装置(TSC+MSC)复合开关投切装置工作原理是先由可控硅在电压过零时投入电容器,然后再由磁保持继电器触点并联闭合,可控硅退出,电容器在磁保持继电器触点闭合下运行。因而实现了投入无涌流运行不发热的目的。但为了降低成本,通常选用两只小功率,低耐压可控硅串联使用,利用可控硅20ms内电流可过载10倍额定电流的特性,过零投入,再用继电器闭合运行。而磁保持继电器触点偏小,且额定机械寿命一般为5万次,从目前投入市场使用情况看,可控硅时有击穿,互感器电容器报价,磁保持继电器也有卡住不动作现象,工作不够稳定。优点:无涌流,不发热,节能;缺点:价格高为接触器的5倍、寿命短、故障较多、有漏电流、投切速度0.5s左右
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