厂商 ：西安联众电子IGBT模块可控硅模块
陕西 西安- 主营产品：
- 英飞菱三社三菱
- 快恢复二极管
- 可控硅整流桥模块
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商品详细描述
M57962AL 300A/1200V 1单元
M57962L 300A/1200V 1单元
M57959L 100A/1200V 1单元
VLA517 400A/1200V
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地址：河南省郑州市花园路与北环交叉口向西200米
m57962l与m57962al 前者保护时间是固定的，后者的保护时间可以调整,引脚功能是一样的。
M57962L驱动功率大,最多可以驱动600A/600V或400A/1200V的IGBT模块.
M57962AL主要特点
M57962AL的主要特点有：（1）高速输入输出隔离，绝缘强度高＊2500VAC／min；（2）输入输出电平与TTL电平兼容，适于单片机控制；（3）内部有定时逻辑短路保护电路，同时具有延时保护特性；（4）具有可靠通断措施（采用双电源）；（5）驱动功率大，可以驱动600A／600V或400A／1200V的IGBT模块。
IGBT专用驱动模块M57962AL适于驱动大功率器件，可根据其内部的自保护功能对其应用电路进行安全可靠设计。该模块采用双电源驱动，有过流过压检测电路和保证IGBT可靠通断电路。总之，能够安全地驱动开关、变频器中的大功率IGBT。
关键词：M57962AL，过流过压保护，可靠通断
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是80年代出现的新型复合器件，它集MOSFET（Metallic OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）和晶体管的优点于一体。其响应速度快，工作电流大，耐压高等优点使得它在开关电源、变频器、逆变器等领域里很受青睐。但由于IGBT自身的特性，使其工作时会发生擎住效应而导致门极失控，或者因电流电压过大或不稳定，造成IGBT损坏而不能正常工作。为此，对IGBT的驱动和保护（特别是短路过流保护）提出了很高的要求。IGBT的驱动电路的形式很多，为了提高可靠性，采用专用驱动模块成了研究人员首先考虑的方案。
1 M57962AL内部电路组成及其特点
1．1 内部电路组成
M57962AL是日本三菱公司生产的专用驱动模块。其内部结构方框图如图1所示。
1．2 M57962AL主要特点
M57962AL的主要特点有：（1）高速输入输出隔离，绝缘强度高＊2500VAC／min；（2）输入输出电平与TTL电平兼容，适于单片机控制；（3）内部有定时逻辑短路保护电路，同时具有延时保护特性；（4）具有可靠通断措施（采用双电源）；（5）驱动功率大，可以驱动600A／600V或400A／1200V的IGBT模块。
2 M57962AL引脚排列及主要性能参数
2．1 M57962AL的引脚图
M57962AL的引脚图如图2所示。
M57962AL是厚模单列直插式封装，从左至右依次编号，其中9～12为空端。1端和2端：故障检测输入端；4端：接正电源VCC；5端：驱动信号输出端；6端：接负电源VEE；8端：故障信号输出；13端和14端：驱动信号输入端。
2．2 主要性能参数
M57962AL的技术参数指标以三菱公司发布的为准，外围电路的设计是根据主要性能参数进行的。主要性能参数见表1。
3 驱动保护电路工作原理分析
M57962AL外围应用电路如图3所示。图3所示实际应用电路具有IGBT过流过压保护功能。当检测到输入1端的电压为7V时，模块判定为电路短路，立即通过光耦输出关断信号关断，从而使其5端输出低电平将IGBT的GE两端置于负向偏置，可靠关断。同时，输出误差信号使故障输出端8端为低电平，从而驱动外接的保护电路工作。延时2～3秒后，若检测到13端为高电平，则M57962AL恢复工作。稳压管Z1用于防止D1击穿而损坏M57962AL，RG为限流电阻，DZ2和DZ3起限幅作用，以确保IGBT可靠开通与关断，而不被误导通或击穿。
4 结束语
IGBT自身工作频率高，响应速度快，工作于开关状态下其开关损耗大，这就对其驱动可靠安全性提出了更高的要求。采用专用驱动模块M57962AL能够驱动大电流大功率的应用，能实现对IGBT的过流过压
保护，同时，所设计的外围应用电路采用限制基极限流电阻和基射极限幅器，确保了IGBT基极不被烧坏和击穿。此模块的应用电路已经在实际中获得成功应用。
我公司现大量供应以下型号，欢迎选购：
M57962AL 300A/1200V 1单元
M57962L 300A/1200V 1单元
M57959L 100A/1200V 1单元
VLA517 400A/1200V
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M57962AL主要特点
M57962AL的主要特点有：（1）高速输入输出隔离，绝缘强度高＊2500VAC／min；（2）输入输出电平与TTL电平兼容，适于单片机控制；（3）内部有定时逻辑短路保护电路，同时具有延时保护特性；（4）具有可靠通断措施（采用双电源）；（5）驱动功率大，可以驱动600A／600V或400A／1200V的IGBT模块。
IGBT专用驱动模块M57962AL适于驱动大功率器件，可根据其内部的自保护功能对其应用电路进行安全可靠设计。该模块采用双电源驱动，有过流过压检测电路和保证IGBT可靠通断电路。总之，能够安全地驱动开关、变频器中的大功率IGBT。
关键词：M57962AL，过流过压保护，可靠通断
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是80年代出现的新型复合器件，它集MOSFET（Metallic OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）和晶体管的优点于一体。其响应速度快，工作电流大，耐压高等优点使得它在开关电源、变频器、逆变器等领域里很受青睐。但由于IGBT自身的特性，使其工作时会发生擎住效应而导致门极失控，或者因电流电压过大或不稳定，造成IGBT损坏而不能正常工作。为此，对IGBT的驱动和保护（特别是短路过流保护）提出了很高的要求。IGBT的驱动电路的形式很多，为了提高可靠性，采用专用驱动模块成了研究人员首先考虑的方案。
1 M57962AL内部电路组成及其特点
1．1 内部电路组成
M57962AL是日本三菱公司生产的专用驱动模块。其内部结构方框图如图1所示。
1．2 M57962AL主要特点
M57962AL的主要特点有：（1）高速输入输出隔离，绝缘强度高＊2500VAC／min；（2）输入输出电平与TTL电平兼容，适于单片机控制；（3）内部有定时逻辑短路保护电路，同时具有延时保护特性；（4）具有可靠通断措施（采用双电源）；（5）驱动功率大，可以驱动600A／600V或400A／1200V的IGBT模块。
2 M57962AL引脚排列及主要性能参数
2．1 M57962AL的引脚图
M57962AL的引脚图如图2所示。
M57962AL是厚模单列直插式封装，从左至右依次编号，其中9～12为空端。1端和2端：故障检测输入端；4端：接正电源VCC；5端：驱动信号输出端；6端：接负电源VEE；8端：故障信号输出；13端和14端：驱动信号输入端。
2．2 主要性能参数
M57962AL的技术参数指标以三菱公司发布的为准，外围电路的设计是根据主要性能参数进行的。主要性能参数见表1。
3 驱动保护电路工作原理分析
M57962AL外围应用电路如图3所示。图3所示实际应用电路具有IGBT过流过压保护功能。当检测到输入1端的电压为7V时，模块判定为电路短路，立即通过光耦输出关断信号关断，从而使其5端输出低电平将IGBT的GE两端置于负向偏置，可靠关断。同时，输出误差信号使故障输出端8端为低电平，从而驱动外接的保护电路工作。延时2～3秒后，若检测到13端为高电平，则M57962AL恢复工作。稳压管Z1用于防止D1击穿而损坏M57962AL，RG为限流电阻，DZ2和DZ3起限幅作用，以确保IGBT可靠开通与关断，而不被误导通或击穿。
4 结束语
IGBT自身工作频率高，响应速度快，工作于开关状态下其开关损耗大，这就对其驱动可靠安全性提出了更高的要求。采用专用驱动模块M57962AL能够驱动大电流大功率的应用，能实现对IGBT的过流过压
保护，同时，所设计的外围应用电路采用限制基极限流电阻和基射极限幅器，确保了IGBT基极不被烧坏和击穿。此模块的应用电路已经在实际中获得成功应用。
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