NCE6009AS SOP8封装

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产品描述： 

NCE6009AS是NCE N沟道增强型功率MOSFET, 属于N50V-N75V MOS产品系列。漏源电压V(BR)DSS=60V, 连续漏电流：ID=9A, 栅-源电压VGS=20V, 脉冲漏极电流IDM：36A, 最大功耗PD：2.6W。

产品特点：

1、品牌：NCE

2、型号：NCE6009AS。

3、种类：绝缘栅（MOSFET）。

4、沟道类型：N沟道。

5、导电方式：增强型。

6、用途：SW-REG/开关电源。

7、材料：N-FET硅N沟道。

8、是否环保：无铅环保。

9、封装类型：SOP-8。。

10、最小包装：2.5K/盘。