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广东 东莞- 主营产品：
- 贴片铝电解电容
- 贴片电解电容
- 螺栓电解电容
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商品详细描述
贴片铝电解主要规格尺寸
接公制标准分为：4*5.5mm, 5*5.5mm, 6.3*5.5mm, 6.3*7.7mm, 8*6.2mm, 8*10.2mm, 10*10.2mm, 10*12mm等。
220uf6.3v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
220uf6.3v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
470u35v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
10uf25v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
220uf16v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
10uf10v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
铝电解电容器的构成：是由正箔. 负箔和电解纸卷成芯子，用引线引出正负极，含浸电解液后通过导针引出，再用铝壳和胶密密封起来。片式铝电解电容器体积虽然较小，但是因为通过电化学腐蚀后，电极箔的表面积被扩大了，且它的介质氧化膜非常薄，所以，片式铝电解电容器可以具有相对较大的电容量。
正确选用一颗贴片铝电解电容器产品，要注意的参数包括：电容量. 额定电压.温度. 寿命以及特性（比如高频低阻抗）的要求。。
0.47uF50v|50v 0.47uF 4*5.4 0.47uF63v|63v0.47uF 4*5.4 0.47 uF 100v|100v0.47uF 4*5.4
1uF50v|50v1uF 4*5.4 1uF63v|63v1uF 4*5.4 1uF 100v|100v1uF 6.3*5.4
2.2uF50v|50v 2.2uF 4*5.4 2.2uF63v|63v1uF 4*5.4 2.2 uF 100v|100v2.2uF 6.3*5.4
3.3uF35v|35v3.3uF 4*5.4 3.3uF50v|50v3.3uF 4*5.4 3.3uF63v|63v3.3uF 5*5.4
3.3uF100v|100v3.3uF 6.3*5.4
4.7uF25v|25v4.7uF 4*5.4 4.7uF35v|35v4.7uF 4*5.4 4.7uF50v|50v4.7uF 5*5.4 4.7uF63v|63v4.7uF 6.3*5.4 4.7uF100v|100v4.7uF 6.3*7.7
6.8uF25v|25v6.8uF 4*5.4 6.8uF35v|35v6.8uF 4*5.4 6.8uF50v|50v6.8uF 5*5.4 6.8uF63v|63v6.8uF 6.3*5.4 6.8uF100v|100v6.8uF 6.3*7.7
8.2uF25v|25v8.2uF 4*5.4 8.2uF35v|35v8.2uF 4*5.4 8.2uF50v|50v8.2uF 5*5.4 8.2uF63v|63v8.2uF 6.3*5.4 8.2uF100v|100v8.2uF 6.3*7.7
10uF16v|16v10uF 4*5.4 10uF25v|25v10uF 4*5.4 10uF35v|35v10uF 4*5.4 10uF50v|50v10uF 6.3*5.4 10uF63v|63v10uF 6.3*5.4 10uF100v|100v10uF 6.3*7.7
22uF6.3v|6.3v22uF 4*5.4 22uF10v|10v22uF 4*5.4 22uF16v|16v22uF 4*5.4 22uF25v|25v22uF 5*5.4 22uF35v|35v22uF 6.3*5.4 22uF50v|50v22uF 6.3*5.4 22uF63v|63v22uF 6.3*7.7 22uF220v|220v22uF 8*10.2
33uF6.3v|6.3v33uF 4*5.4 33uF10v|10v33uF 4*5.4 33uF16v|16v33uF 5*5.4 33uF25v|25v33uF 5*5.4 33uF35v|35v33uF 6.3*5.4 33uF50v|50v33uF 6.3*7.7 33uF63v|63v33uF 8*10.2 33uF330v|330v33uF 10*10.2
47uF6.3v|6.3v47uF 4*5.4 47uF10v|10v47uF 5*5.4 47uF16v|16v47uF 5*5.4 47uF25v|25v47uF 6.3*5.4 47uF35v|35v47uF 6.3*5.4 47uF50v|50v47uF 6.3*7.7 47uF63v|63v47uF 8*10.2 47uF470v|470v47uF 10*10.2
68uF6.3v|6.3v68uF 5*5.4 68uF10v|10v68uF 6.3*5.4 68uF16v|16v68uF 6.3*5.4 68uF25v|25v68uF 8*6.5 68uF35v|35v68uF 8*6.5 68uF50v|50v68uF 8*10.2 68uF63v|63v68uF 10*10.2 68uF680v|680v68uF 10*10.2
82uF6.3v|6.3v82uF 5*5.4 82uF10v|10v82uF 6.3*5.4 82uF16v|16v82uF 6.3*5.4 82uF25v|25v82uF 8*6.5 82uF35v|35v82uF 8*6.5 82uF50v|50v82uF 8*10.2 82uF63v|63v82uF 10*10.2 82uF820v|820v82uF 10*10.2
100uF6.3v|6.3v100uF 5*5.4 100uF10v|10v100uF 6.3*5.4 100uF16v|16v100uF 6.3*5.4 100uF25v|25v100uF 6.3*7.7 100uF35v|35v100uF 6.3*7.7 100uF50v|50v100uF 8*10.2 100uF63v|63v100uF 10*10.2
150uF6.3v|6.3v150uF 6.3*5.4 150uF10v|10v150uF 6.3*5.4 150uF16v|16v150uF 6.3*7.7 1220uF6.3v|6.3v220uF 6.3*5.4 220uF10v|10v220uF 6.3*7.7 220uF16v|16v220uF 6.3*7.7 220uF25v|25v220uF 8*10.2 220uF35v|35v220uF 8*10.2 220uF50v|50v220uF 10*10.2
50uF25v|25v150uF 8*10.2 150uF35v|35v150uF 8*10.2 150uF50v|50v150uF 10*10.2
330uF6.3v|6.3v330uF 6.3*7.7 330uF10v|10v330uF 8*10.2 330uF16v|16v330uF 8*10.2 330uF25v|25v330uF 10*10.2 330uF35v|35v330uF 10*10.2
470uF6.3v|6.3v470uF 6.3*7.7 470uF10v|10v470uF 8*10.2 470uF16v|16v470uF 8*10.2 470uF25v|25v470uF 10*10.2
680uF6.3v|6.3v680uF 8*10.2 680uF10v|10v680uF 10*10.2 680uF16v|16v680uF 10*10.2
820uF6.3v|6.3v820uF 8*10.2 820uF10v|10v820uF 10*10.2 820uF16v|16v820uF 10*10.2
1000uF6.3v|6.3v1000uF 8*10.2 1000uF10v|10v1000uF 10*10.2 1000uF16v|16v1000uF 10*10.2
1500uF6.3v|6.3v1000uF 10*10.2
capsun牌电容作为中国特种大型高压铝电解电容器的制造商，透过专利技术的应用让您品质上使用更无忧。
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贴片电解电容生产设备能力
衡量贴片电解电容性能的几个重要性能参数
在熟知电容的制造全过程，了解了电容的基本构造和原理之后，我们就将面临一个新的问题——如何从参数上判断电容品质的好坏？只有掌握了这一方法，我们才能以不变应万变，即使对电容的种类和品牌本身不了解，也能通过几个参数迅速判断出其性能档次。 关于电容的参数，我们将其分为“看得到的”和“看不到的”。所谓“看得到的”，就是印在电容表面的一些基本参数，这些参数在我们看到一颗电容之后往往可以直接得知。例如电容的容量（比如“470μF”等等）、容量偏差范围、耐温范围、电压值（比如“16V”）。 所谓“看不到的”参数，就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值，如今已成为区别电容性能的重要参数，而我们在电容上是看不到这个参数的，我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少，其中包括如下一些： 1.ESR值；
2.能够耐受的涟波电流值；
3.温度特性；
4.损耗角的正切（TAN），相当于无功功率和有功功率的比值，这个值跟电容的品质以及发热量有关系，这个值越小电容性能越好。
5.漏电流值：无论绝缘体多大，总是会有细微的电流漏过电容，这个值则代表具体漏过的多少。 此外，ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展，现在的高档电解电容，其ESL特性一般都很好，到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别，因此也就失去了比较的意义。 电容ESR的意义 ESR缘何重要？ 首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢？由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。 例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷）。 此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于1.8V的CPU而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。 那么ESR值与涟波电压的关系何在呢？我们可以用以下公式表示： V=R（ESR）×I 这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。上图就是一个典型的滤波电路。其中的SW IC相当开关电源，将输入的5V直流电转换为3.3V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器，目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。 而上图的表格则表明了，在L/C部分使用不同种类电容的情况下，这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出，具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容（左边），其消除涟波电压的性能最强，钽二氧化锰电容（右边）性能次之，铝电解液电容（中间）表现最差。同时最后的数值还将受温度影响，这点我们还将在后面详细说明。 温度与电容性能的密切关系 电容的性能并非一成不变，而是会受到环境的影响，而对电容影响最大的就是温度。而在不同种类的电容当中，采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容，受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极，例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中，只有电解液采用离子导电方式，而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言，温度越高，其离子活动越强，电离程度也越强。因此，在温度不超过额定限度的前提下，电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。 上图代表25摄氏度下，三种电容降低涟波电压的能力（电路可以以上一章节中的电路图为参考）。其中第一个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容（1颗，100μF，ESR=40毫欧姆）），第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容（3颗并联），第三个表格使用的是低阻抗钽电容（2颗并联）。 从表格中可以看出，在25摄氏度的常温状态下，三者所产生的涟波电压分别是22.8/23.8/24.8mV。也就是说，1颗铝固体聚合物导体电容，在25摄氏度下降低涟波电压的能力，大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。 上图同样是这三种电容，同一电路，在70摄氏度下降低涟波电压的表现。可以看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大，依然保持在24~25mV左右，但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了16.4mV，这时只需要并联两颗这种电容，即可达到25摄氏度状态下的25mV左右水平，其性能提升巨大。 下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20摄氏度下三种电容的成绩。可以看出，在低温环境下，铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25摄氏度下的23.8mV猛增到了57.6mV。要将涟波电压降低到和25摄氏度相同的数值，需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能，无论是在25度、70度还是-20度环境下，其波动都不大。 从以上分析我们不难看出，铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容，在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容（蓝色线）随温度（Y轴）的增加，ESR值（X轴）降低明显。而铝固体聚合物导体电容（紫色线）和钽电容（绿色线）以及高档陶瓷电容（红色线）则近似于直线，其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容（粉红线）则受温度影响较大。 这里需要说明的是，上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容，其容量较小（只有100μF），而且ESR并不太低（40毫欧）。如换上大容量，ESR更低的同类产品，最终性能表现将更加突出。
电容的用途非常多，主要有如下几种： 1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。 2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。 3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路 4．滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。 5．温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。 6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。 7．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。 8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。 9．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。 电解电容器：由于主板、显卡等产品使用的基本都是电解电容，因此这是我们要讲的重点。大家熟悉的铝电容，钽电容其实都是电解电容。如果说电容是电子元器件中最重要和不可取代的元件的话，那么电解电容器又在整个电容产业中占据了半壁江山。我国电解电容年产量300亿只，且年平均增长率高达30%，占全球电解电容产量的1/3以上。深入电解电容的性能特点 电解电容器特点一：单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。 电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f（但不能和双电层电容相比）。 电解电容器特点三：价格比其它种类具有压倒性优势，因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料，比如铝等等。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。 目前，新型的电解电容发展的非常快，某些产品的性能已达到无机电容器的水准，电解电容正在替换某些无机和有机介质电容器。电解电容的使用范围相当广泛，基本上，有电源的设备都会使用到电解电容。例如通讯产品，数码产品，汽车上音响、发动机、ABS、GPS、电子喷油系统以及几乎所有的家用电器。由于技术的进步，如今在小型化要求较高的军用电子对抗设备中也开始广泛使用电解电容。 从铝电容到钽电容 透过阳极看电解电容 1．铝电解电容。不管是SMT贴片工艺的（上图左，就是大家说的“贴片电容”，识别方式是底坐有黑色橡胶），还是直插式的，或者有塑料表皮的（上图右就是直插式有塑料表皮的，这个被很多人认为是“电解电容”），只要它们的阳极材质是铝，那么他们就都叫做铝电解电容。电容的封装方式和电容的品质本身并无直接联系，电容的性能只取决于具体型号，这个我们后面会详细说明。 2．钽电解电容。阳极由钽构成，就是那种我们在显卡上一见到就会惊呼“这个显卡做工真不错！”的那种黄色或黑色小颗粒。目前很多钽电解电容都用贴片式安装，其外壳一般由树脂封装（采用同样封装的也可能是铝电解电容）。但是，钽电容的阴极也是电解质，所以很不幸的，它也是大家十分瞧不起的“电解电容”的一种 最新锐的GF 6800 Ultra显卡，在NVIDIA公版上就使用了CHEMICON PS/16V固体聚合物导体电容。我看到有些“高手”对此不屑一顾，说16V算什么？确实，和使用电解液为阴极的电容相比，16V确实不算什么。但是在16伏特电压下，它的ESR性能不是一般的电解液电容所能达到的，因此才被应用到GF 6800 Ultra这样的顶级显卡上。 小地：使用不同的阳极和阴极材料可以组合成多种规格的电解电容，是吗？ 万鹏：是这样的。基本上所有组合都可以。例如钽电解电容也可以使用固体聚合物导体做为阴极，而铝电解电容既可以使用电解液，也可以使用TCNQ、PPY和PEDT等等。现在新型的钽电容也采用了PPY和PEDT这类固体聚合物导体做阴极，因此性能进步很多，也没有以往二氧化锰阴极易爆炸的危险。如今最好的钽聚合物电容的ESR可以达到5毫欧姆。这类性能高、体积小的钽聚合物电容一般使用手机、数码相机等一些对体积要求较高的设备上。 刚才提到了有些电容不适合SMT贴片工艺，请问是否使用SMT，对性能会带来什么影响？ 无论是插件还是贴片式的安装工艺，电容本身都是直立于PCB的，根本的区别方式是SMT贴片工艺安装的电容，有黑色的橡胶底座。SMT的好处主要在于生产方面，其自动化程度高，精度也高，在运输途中不像插件式那样容易受损。但是SMT贴片工艺安装，需要波峰焊工艺处理，电容经过高温之后可能会影响性能，尤其是阴极采用电解液的电容，经过高温后电解液可能会干枯。插件工艺的安装成本低，因此在同样成本下，电容本身的性能可以更好一些。由于欧美工厂的机械成本低而人工比较贵，所以大部分倾向于SMT贴片制造。而国内工厂的人工较便宜，所以厂商更愿意使用插件式安装。
在性能方面，插件式电容对频率的适应性差一些，不过不到500MHz以上的频率是很难体现出差异的。使用插件式安装的电容中也有很好的产品，例如CHEMICON的PS系列有一部分就是使用插件式的。电解电容阴极性能初步对比优点 价格最便宜，耐压性优良，有自愈特性
接公制标准分为：4*5.5mm, 5*5.5mm, 6.3*5.5mm, 6.3*7.7mm, 8*6.2mm, 8*10.2mm, 10*10.2mm, 10*12mm等。
220uf6.3v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
220uf6.3v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
470u35v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
10uf25v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
220uf16v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
10uf10v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
铝电解电容器的构成：是由正箔. 负箔和电解纸卷成芯子，用引线引出正负极，含浸电解液后通过导针引出，再用铝壳和胶密密封起来。片式铝电解电容器体积虽然较小，但是因为通过电化学腐蚀后，电极箔的表面积被扩大了，且它的介质氧化膜非常薄，所以，片式铝电解电容器可以具有相对较大的电容量。
正确选用一颗贴片铝电解电容器产品，要注意的参数包括：电容量. 额定电压.温度. 寿命以及特性（比如高频低阻抗）的要求。。
0.47uF50v|50v 0.47uF 4*5.4 0.47uF63v|63v0.47uF 4*5.4 0.47 uF 100v|100v0.47uF 4*5.4
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6.8uF25v|25v6.8uF 4*5.4 6.8uF35v|35v6.8uF 4*5.4 6.8uF50v|50v6.8uF 5*5.4 6.8uF63v|63v6.8uF 6.3*5.4 6.8uF100v|100v6.8uF 6.3*7.7
8.2uF25v|25v8.2uF 4*5.4 8.2uF35v|35v8.2uF 4*5.4 8.2uF50v|50v8.2uF 5*5.4 8.2uF63v|63v8.2uF 6.3*5.4 8.2uF100v|100v8.2uF 6.3*7.7
10uF16v|16v10uF 4*5.4 10uF25v|25v10uF 4*5.4 10uF35v|35v10uF 4*5.4 10uF50v|50v10uF 6.3*5.4 10uF63v|63v10uF 6.3*5.4 10uF100v|100v10uF 6.3*7.7
22uF6.3v|6.3v22uF 4*5.4 22uF10v|10v22uF 4*5.4 22uF16v|16v22uF 4*5.4 22uF25v|25v22uF 5*5.4 22uF35v|35v22uF 6.3*5.4 22uF50v|50v22uF 6.3*5.4 22uF63v|63v22uF 6.3*7.7 22uF220v|220v22uF 8*10.2
33uF6.3v|6.3v33uF 4*5.4 33uF10v|10v33uF 4*5.4 33uF16v|16v33uF 5*5.4 33uF25v|25v33uF 5*5.4 33uF35v|35v33uF 6.3*5.4 33uF50v|50v33uF 6.3*7.7 33uF63v|63v33uF 8*10.2 33uF330v|330v33uF 10*10.2
47uF6.3v|6.3v47uF 4*5.4 47uF10v|10v47uF 5*5.4 47uF16v|16v47uF 5*5.4 47uF25v|25v47uF 6.3*5.4 47uF35v|35v47uF 6.3*5.4 47uF50v|50v47uF 6.3*7.7 47uF63v|63v47uF 8*10.2 47uF470v|470v47uF 10*10.2
68uF6.3v|6.3v68uF 5*5.4 68uF10v|10v68uF 6.3*5.4 68uF16v|16v68uF 6.3*5.4 68uF25v|25v68uF 8*6.5 68uF35v|35v68uF 8*6.5 68uF50v|50v68uF 8*10.2 68uF63v|63v68uF 10*10.2 68uF680v|680v68uF 10*10.2
82uF6.3v|6.3v82uF 5*5.4 82uF10v|10v82uF 6.3*5.4 82uF16v|16v82uF 6.3*5.4 82uF25v|25v82uF 8*6.5 82uF35v|35v82uF 8*6.5 82uF50v|50v82uF 8*10.2 82uF63v|63v82uF 10*10.2 82uF820v|820v82uF 10*10.2
100uF6.3v|6.3v100uF 5*5.4 100uF10v|10v100uF 6.3*5.4 100uF16v|16v100uF 6.3*5.4 100uF25v|25v100uF 6.3*7.7 100uF35v|35v100uF 6.3*7.7 100uF50v|50v100uF 8*10.2 100uF63v|63v100uF 10*10.2
150uF6.3v|6.3v150uF 6.3*5.4 150uF10v|10v150uF 6.3*5.4 150uF16v|16v150uF 6.3*7.7 1220uF6.3v|6.3v220uF 6.3*5.4 220uF10v|10v220uF 6.3*7.7 220uF16v|16v220uF 6.3*7.7 220uF25v|25v220uF 8*10.2 220uF35v|35v220uF 8*10.2 220uF50v|50v220uF 10*10.2
50uF25v|25v150uF 8*10.2 150uF35v|35v150uF 8*10.2 150uF50v|50v150uF 10*10.2
330uF6.3v|6.3v330uF 6.3*7.7 330uF10v|10v330uF 8*10.2 330uF16v|16v330uF 8*10.2 330uF25v|25v330uF 10*10.2 330uF35v|35v330uF 10*10.2
470uF6.3v|6.3v470uF 6.3*7.7 470uF10v|10v470uF 8*10.2 470uF16v|16v470uF 8*10.2 470uF25v|25v470uF 10*10.2
680uF6.3v|6.3v680uF 8*10.2 680uF10v|10v680uF 10*10.2 680uF16v|16v680uF 10*10.2
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1000uF6.3v|6.3v1000uF 8*10.2 1000uF10v|10v1000uF 10*10.2 1000uF16v|16v1000uF 10*10.2
1500uF6.3v|6.3v1000uF 10*10.2
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衡量贴片电解电容性能的几个重要性能参数
在熟知电容的制造全过程，了解了电容的基本构造和原理之后，我们就将面临一个新的问题——如何从参数上判断电容品质的好坏？只有掌握了这一方法，我们才能以不变应万变，即使对电容的种类和品牌本身不了解，也能通过几个参数迅速判断出其性能档次。 关于电容的参数，我们将其分为“看得到的”和“看不到的”。所谓“看得到的”，就是印在电容表面的一些基本参数，这些参数在我们看到一颗电容之后往往可以直接得知。例如电容的容量（比如“470μF”等等）、容量偏差范围、耐温范围、电压值（比如“16V”）。 所谓“看不到的”参数，就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值，如今已成为区别电容性能的重要参数，而我们在电容上是看不到这个参数的，我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少，其中包括如下一些： 1.ESR值；
2.能够耐受的涟波电流值；
3.温度特性；
4.损耗角的正切（TAN），相当于无功功率和有功功率的比值，这个值跟电容的品质以及发热量有关系，这个值越小电容性能越好。
5.漏电流值：无论绝缘体多大，总是会有细微的电流漏过电容，这个值则代表具体漏过的多少。 此外，ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展，现在的高档电解电容，其ESL特性一般都很好，到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别，因此也就失去了比较的意义。 电容ESR的意义 ESR缘何重要？ 首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢？由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。 例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷）。 此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于1.8V的CPU而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。 那么ESR值与涟波电压的关系何在呢？我们可以用以下公式表示： V=R（ESR）×I 这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。上图就是一个典型的滤波电路。其中的SW IC相当开关电源，将输入的5V直流电转换为3.3V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器，目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。 而上图的表格则表明了，在L/C部分使用不同种类电容的情况下，这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出，具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容（左边），其消除涟波电压的性能最强，钽二氧化锰电容（右边）性能次之，铝电解液电容（中间）表现最差。同时最后的数值还将受温度影响，这点我们还将在后面详细说明。 温度与电容性能的密切关系 电容的性能并非一成不变，而是会受到环境的影响，而对电容影响最大的就是温度。而在不同种类的电容当中，采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容，受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极，例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中，只有电解液采用离子导电方式，而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言，温度越高，其离子活动越强，电离程度也越强。因此，在温度不超过额定限度的前提下，电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。 上图代表25摄氏度下，三种电容降低涟波电压的能力（电路可以以上一章节中的电路图为参考）。其中第一个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容（1颗，100μF，ESR=40毫欧姆）），第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容（3颗并联），第三个表格使用的是低阻抗钽电容（2颗并联）。 从表格中可以看出，在25摄氏度的常温状态下，三者所产生的涟波电压分别是22.8/23.8/24.8mV。也就是说，1颗铝固体聚合物导体电容，在25摄氏度下降低涟波电压的能力，大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。 上图同样是这三种电容，同一电路，在70摄氏度下降低涟波电压的表现。可以看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大，依然保持在24~25mV左右，但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了16.4mV，这时只需要并联两颗这种电容，即可达到25摄氏度状态下的25mV左右水平，其性能提升巨大。 下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20摄氏度下三种电容的成绩。可以看出，在低温环境下，铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25摄氏度下的23.8mV猛增到了57.6mV。要将涟波电压降低到和25摄氏度相同的数值，需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能，无论是在25度、70度还是-20度环境下，其波动都不大。 从以上分析我们不难看出，铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容，在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容（蓝色线）随温度（Y轴）的增加，ESR值（X轴）降低明显。而铝固体聚合物导体电容（紫色线）和钽电容（绿色线）以及高档陶瓷电容（红色线）则近似于直线，其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容（粉红线）则受温度影响较大。 这里需要说明的是，上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容，其容量较小（只有100μF），而且ESR并不太低（40毫欧）。如换上大容量，ESR更低的同类产品，最终性能表现将更加突出。
在性能方面，插件式电容对频率的适应性差一些，不过不到500MHz以上的频率是很难体现出差异的。使用插件式安装的电容中也有很好的产品，例如CHEMICON的PS系列有一部分就是使用插件式的。电解电容阴极性能初步对比优点 价格最便宜，耐压性优良，有自愈特性
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