4N60C

特点：

4N60C为N沟道增强型高压功率MOS场 效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

场效应管 4N60C  TO-220F:

产品型号：4N60C

产品封装：TO-220F

产品品牌：浩畅

是否环保：无铅环保

最小包装：1000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

4A,600V，RDS DS DS(on)(典型值）1.97Ω

漏源电压VDS =600V , 连续漏电流ID =4A

栅-源电压VGS=±30V

脉冲漏极电流IDM:4A

最大功耗PD:36W

储存温度 Tstg -55～150 ℃

漏源反向电压 BVDSS VGS=0V, ID=250μA

漏源截止电流 IDSS VDS =600V,VGS= 0V、

栅源截止电流 IGSS(F/R) VGS = ±30V,VDS= 0V

通态电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=2A  

栅源极开启电压 VGS(th) VDS = VGS, ID = 250ΜA

漏二极管正向 导通压降 VFSD IS=4A,VGS=0V

超低导通电阻的高细胞密度设计

完全表征雪崩电压和电流

用途：

功率开关的应用

开关和高频电路

不间断电源