氧化硅基底单层石墨烯

氧化硅基底单层石墨烯

氧化硅基底单层石墨烯  (直径4英寸)
产品说明
GA22型氧化硅基底单层石墨烯(直径4英寸) 氧化硅基底单层石墨烯膜 CVD SiO2/Si基底单层石墨烯薄膜
描述：                                                                                             
● 光透过率：> 97%
● 覆盖率：> 95%
● 厚度：0.345 nm
● 氧化铝基底FET电子迁移率：2000 cm2/Vs
● 氧化硅/硅基底霍尔电子迁移率：4000 cm2/Vs
● 方阻：450±40 Ω／□
● 晶粒尺寸：达到10μm                                                                                   
● GA22型CVD氧化硅基底单层石墨烯薄膜的尺寸：直径4英寸。
● 有特殊要求的用户可订制。
 
SiO2/Si基底规格：
● 氧化硅厚度：300nm±5%
● 晶型/掺杂剂：P型/B
● 晶向：<100>
● 电阻率：<0.005 Ω·cm
● 晶片厚度：525μm±20μm
● 上表面：抛光
● 背表面：腐蚀
● 粒子：<10@0.3μm


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