第三方钬激光主机维修

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     IGBT模块在使用时的损坏原因  IGBT在使用过程中经常受到容性或感性负载的冲击，承受过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT损坏。IGBT模块在使用时的损坏原因主要有：

    过电流损坏——锁定效应

 IGBT为复合器件，其内有一个寄生晶闸管，在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN或PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，栅极失去了控制作用，便发生了锁定效应。IGBT发生锁定效应后，集电极电流过大，造成了过高的功耗而导致器件损坏。

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钬激光在光纤中的损耗

1.吸收损耗：由于光纤材料本身和杂志对光能的吸收而引起，第三方钬激光主机维修，把光能以热能的形式消耗与光纤中，是材料固有的，不能消除。

2.散射损耗：由于材料分子以及材料结构的不均匀折射率产生不均匀而引起的散射，这种散射是材料固有的不能消除。

3.结构不规则损耗：由于纤芯包层界面上存在着微小结构波动和光纤内部波导结构不均匀而引起的，同样不能消除。

4.弯曲损耗：是光纤轴弯曲所引起的损耗，任何肉眼可见的光纤轴线对于直线的偏移为弯曲和宏弯曲损耗；这种损耗随曲率半径的减少按指数规律增大。

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IGBT模块在使用时的损坏原因

IGBT在使用过程中经常受到容性或感性负载的冲击，承受过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT损坏。IGBT模块在使用时的损坏原因主要有以下情况——过电压损坏和静电损坏

IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压超过IGBT器件的1高峰值电压，将造成IGBT击穿损坏。IGBT过电压损坏可分为集电极-栅极过电压、栅极-发射极过电压、高du/dt过压电等。大多数过电压保护的电路设计都比较完善，但是对于由高du/dt所导致的过电压故障，基本上都是采用无感电容或者RCD结构吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够而造成IGBT损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极-栅极两端并接齐纳二极管，采用栅极电压动态控制，当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了IGBT因受集电极发射极过电压而损坏。

采用栅极电压动态控制可以解决过高的du/dt带来的集电极发射极瞬间过电压问题，但是它的弊端是当IGBT处于感性负载运行时，半桥结构中处于关断的IGBT，由于其反并联二极管（续流二极管）的恢复，其集电极-发射极两端的电压急剧上升，从而承受瞬间很高的du/dt。多数情况下，钬激光主机维修公司，该du/dt值要比IGBT正常关断时的集电极-发射极电压上升率高，由于米勒电容( Cres)的存在，该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流，流向栅极驱动电路。该电流与栅极电路的阻抗相互作用，直接导致栅极-发射极电压UGE值的升高，甚至超过IGBT的开通门限电压UGE(th)值。出现恶劣的情况就是使IGBT被误触发导通，导致变换器的桥臂短路。

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