厂商 :北京启尔特石油科技有限公司
北京 北京- 主营产品:
- 175度晶振
- 150度单片机
- 150度存储器
150度MOS管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管,具有体积小,电压范围大,现货批发150度NPN晶体管型,结实可靠,可耐高温,常用型号有2N2222A等,适用于石油测井勘探及其他科研领域,欢迎来电咨询。
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
225度MOS管
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场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管)。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。
225度高温整流器
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三极管整流器技术参数三极管的hFE参数与贮存时间ts相关,一般hFE大的三极管ts也较大,过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺,人们更依赖hFE参数来选择三极管。
在开关状态下,hFE的选择通常有以下认识:一、hFE应尽可能高,以便用少的基极电流得到大的工作电流,同时给出尽可能低的饱和电压,这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。
但是,如果考虑到开关速度和电流容限,则hFE的大值就受到限制;第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件,例如hFE为10到15,甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来,由于基极回路流行采用电容触发线路,现货批发175度NPN晶体管型,hFE的数值有所上升),hFE的数值小则饱和深度小,从而有利于降低晶体管的发热。
实际上,晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响,因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整,也可以降低饱和深度。
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