175度高温EEPROM存储器

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北京启尔特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高温存储器，美国原厂进口，耐高温，性能稳定，各种容量都有，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，200度EEPROM存储器价格，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！

（1） 读操作

　　　① 存储器收到地址总线上来的地址信号后，经过一定时间，片选信号CS有效（片选信号CS由地址信号译码产生）。

　　　② 片选信号CS有效后，经过时间tCX，存储器开始输出数据。输出数据稳定后，CPU获得数据。从CS有效到数据稳定的时间是tCD。

　　　③tOTD：恢复时间，用于存储器内部操作。从输出数据稳定至可以输入新的地址的时间

　　　④ 地址信号消失后，数据维持的时间是tOHA。

　　　⑤ 从存储器获得地址信号，到输出数据稳定的时间，称为'存取时间'tA。

　　　⑥ 从存储器获得地址信号，到允许下次地址信号出现的时间，称为'读周期'tRC。 tRC=tA+tOTD。

 

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150度高温存储器 我司目前仅有25LC系列，H 150度温度级别小容量64K bit现货，数量不多欢迎选购。另外其同系列，175度高温EEPROM存储器，256k bit. 25LC640A  25LC256.如有兴趣，欢迎致电本司。

内部存储器与外部存储器一般情况下，当确定了存储程序代码和数据所需要的存储空间之后，设计工程师将决定是采用内部存储器还是外部存储器。设计工程师必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑，人们通常选择能满足应用要求的存储器容量小的微控制器，175度EEPROM存储器价格，因此在预测代码规模的时候要必须特别小心，EEPROM存储器，因为代码规模增大可能要求更换微控制器。市场上存在各种规模半导体存储器的外部存储器器件，我们很容易通过增加存储器来适应代码规模的增加。有时这意味着以封装尺寸相同但容量更大的存储器替代现有的存储器，或者在总线上增加存储器。即使微控制器带有内部存储器，也可以通过增加外部串行EEPROM或闪存来满足系统对非易失性存储器的需求。

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我司供应如下高温产品：

150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。

双倍数据速率1 存储器 (DDR1)第1代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供高 400 兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4，8，16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的区别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。

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