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抛光机抛光作业不该出现哪些状况
抛光机抛光效果的完美表达,抛光器期间一定不会出现任何可能的差池,因此,可以在一定程度上说,如果弯管抛光机在抛光的过程中出现瑕疵,则与“人”脱不了任何的关系,此时唯有慎之又慎才能避免。那么,六组圆管抛光机供应商,抛光机抛光作业不该出现哪些状况呢?
弯管抛光机
1、单次施工区域过大;
2、抛光机在表面上移动的速度太快;
3、在抛除太阳纹时机器的转速设定太慢;
4、下压的力道太小;
5、下压的力道太大,因此绵盘会停止旋转;
6、在使用你的产品时绵盘没有保持水平;
7、涂抹太多或太少的产品;
8、清理绵盘的次数不够频繁。
以上种种可能出现的抛光机操作失误都是极其容易触犯的,一旦触犯,不仅会对抛光机本身造成一定程度的损坏,还会对工件本身构成瑕疵,规避这些操作的办法就是留心谨慎,尽量减少乃至杜绝这些现象的发生。
抛光液是
CMP
的关键要素之一
,
抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量。抛光液一般
由超细固体粒子研磨剂
(
如纳米
SiO2
、
A12O3
粒子等
)
、表面活性剂、稳定剂、氧化剂
等组成
,
固体粒子提供研磨作用
,
化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。抛光液的化学成分及浓
度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、
pH
值、流速、流动途径对
CM
过程中的材料去除速度都有影响。目前
CMP
的抛光液通常使用球形纳米级颗粒来加速
切除和优化抛光质量
,
如胶体
SiO2
粒子
,
改变了抛光液的流变性能
,
可以用微极性来表征
这类流体的流变性能。张朝辉等
[2]
给出了考虑微极性效应的
CMP
运动方程
,
并进行了
数值求解
,
数值模拟结果表明
,
微极性将提高抛光液的等效粘度从而在一定程度上提高其
承载能力
,
加速材料去除
,
这在低节距或低转速下尤为明显
,
体现出尺寸依赖性。
Lei[3, 4]
等系统研究了纳米
SiO2
抛光液对镍磷敷镀的硬盘基片的化学机械抛光性能
,
发现抛光
液的抛光性能与抛光液中纳米
SiO2
粒子的粒径及浓度、氧化剂的用量、抛光液的
pH
值、抛光液的流量等均有关
,
适宜的抛光液组成为
:
粒径
30nm
和浓度
5% ~6%
、氧化
剂的用量
1% ~2%
、抛光液的
pH
值
1. 8
、流量不小于
300mL/min,
但是过大的流量对
抛光性能没有进一步提高
,
只会增加成本。朱永华
[5]
等采用纳米
SiO2
作为抛光磨料在
不同抛光液条件下
(pH
值、表面活性剂、润滑剂等
)
对玻璃基片
CMP
去除速率和表面质
量的变化规律进行了研究
,
并利用原子力显微镜和光学显微镜观察了抛光表面的微观形
貌。张建新等
[6]
以
LB2Mer
模型为理论指导对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散
度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析
,
制得了符合高质量、率
CMP
专用
的大粒径
(
平均粒径为
112nm)
、低分散度
(
接近于
1. 00)
硅溶胶研磨料
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