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商品详细描述
气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下,使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大为减少,电池的短路电流和输出就有很大增加,库存光伏板回收,效率也有相当的提高。
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化(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%,GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感,适合于制造效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。
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寿命。为了提效率延长寿命,在制作电池片的过程中往往对电池片表面进行减反射和表面处理,现有的对太阳能电池片表面的处理方法总体而言主要有两种,降级光伏板回收,一种方法是在电池片表面涂刷透明的保护膜;另一种方法是在电池片表面进行镀膜。采用涂刷透明保护膜的方法并不能保证对电池片提
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