集成电路回收

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耗散功率

耗散功率也称集电极最z大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最z大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最z高允许结温和集电极最z大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

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判别基极和管子的类型

选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，回收IC，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，回收内存芯片，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。

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晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最z大电流、最z大反向电压、反向电流等。

放大系数

直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

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