收购集成电路

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商品详细描述

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真空三极管1939年2月,Bell实验室有一个伟大的发现,硅p_n结的诞生。1942年,普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学生1,发现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。这两个发现满足了美国政府的要求,收购集成电路,也为随后晶体管的发明打下了伏笔


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耗散功率

耗散功率也称集电极最z大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最z大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最z高允许结温和集电极最z大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。


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同电子管相比,电子料收购,晶体管具有诸多优越性:

消耗电能极少

仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去,这对电子管收音机来说,是难以做到的。﹨


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