扁型压敏电阻器

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电压比与残压UR

电压比指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。

残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时，它两端电压的峰值。一般来说，流入压敏电阻器的浪涌电流的峰值都在1mA以上，对通用压敏电阻和防雷型压敏电阻而言，所谓特定波形指的是IEC本60060-2: 1973标准规定的8/20 μs标准雷电流波形。

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氧化锌压敏电阻器已广泛应用于过电压保护、浪涌吸收、过电流泄放等方面,是防护电气电子设备因受雷电闪击及其他瞬态电磁干扰造成传导过电压危害的有效器件,它的性能直接影响安全保护效果。因氧化锌压敏电阻在系统或设备运行中必然存在老化劣化现象,

故必须对其进行定期检测,以防止老化劣化产品仍工作在系统或设备中。然而,目前检测方法所判定的压敏电压U1mA和漏电流I

leakage两个参数都存在拐点效应,即只有当MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才会出现显著变化;而在这个拐点之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93测试标准的要求[8],这就给检测结果带来不确定性。某个产品自身已经老化劣化到一定程度需要及时更换,但U1mA和Ileakage检测值仍然合格。

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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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