突波吸收器

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压敏电阻交流作用下的老化机理

交流作用下。在正半周时，假设右侧为正极性，电压主要加在右侧的耗尽层上，使右侧的Zni向晶界迁移，而左侧所加电压很低，Zn

i向晶粒内迁移不大；在负半周，电压主要加在左侧，使左侧Zni向晶界迁移，右侧这时所加电压很低，Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。

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电压比与残压UR

电压比指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。

残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时，它两端电压的峰值。一般来说，流入压敏电阻器的浪涌电流的峰值都在1mA以上，对通用压敏电阻和防雷型压敏电阻而言，所谓特定波形指的是IEC本60060-2: 1973标准规定的8/20 μs标准雷电流波形。

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当过电压幅值高于规定电流下的电压，过电流幅值小于压敏电阻器的顶峰值电流时(若无压敏电阻器足以使设备元器件破坏)，压敏电阻器处于击穿区，压敏电阻器将过电压限制在较低的水平上(小于设备的耐压水平)，同时通过压敏电阻器的冲击电流很大，使压敏电阻器性能劣化即将失效，这时通过熔断器的电流很大，熔断器断开，这样既可使电器设备、元器件免受过电压冲击，也可避免由于压敏电阻器的劣化击穿造成线路L-N、L-PE之间短路

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