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      研究组发现，钛与石墨烯具有相同的结晶结构，与碳元素的结合力非常强大。利用钛去除石墨烯褶皱的研究成果，在10nm厚的钛层上开发出了石墨烯合成技术。该技术在150度低温条件下，可以将高品质石墨烯合成后，大幅度改善工程的效率性和应用性。

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       研究组表示，该研究能够弥补现有的石墨烯材料的缺点，并可以直接开发出新概念大面积石墨烯制造技术。石墨烯不仅可以应用于透明柔软的电子元件，还能替代现有的黄金、铜等金属电极。

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       将高速发光体集成到硅芯片上可支持硅基光电子学的新架构。但迄今为止，石墨烯粉体销售，由于基于化合物半导体的发光体难以在硅衬底上直接制造，因此将其集成到硅基平台面临着重大挑战。

??近日，来自日本科学技术局的研究人员开发了高速、高度集成的基于石墨烯的硅基芯片发丨射器。这些发射体工作在近红外区域，石墨烯粉体，包括电信波长(约1550nm)。研究团队表示，新型发丨射器“比传统化合物半导体发丨射器具有更大的优势”。

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       作为一种二维纳米碳材料，石墨烯在电子、光学和热学特性方面均提供了特殊能力，可应用于光电子器件。在硅芯片上，基于石墨烯的黑体发射体在近红外和中红外区域也是有希望的发光体。

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