微弧氧化设备

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微弧氧化设备的微弧氧化电压刚刚达到控制电压值时，电流一般都很大，可能为10A/dm2；随着氧化时间的延长，表面微弧氧化陶瓷膜不断形成和完善，其氧化电流也逐渐降低，航天微弧氧化设备，最后可能降到1A/dm2以下。氧化电压波形对微弧氧化膜的性能也有影响，可以采用直流、交流、锯齿、方波等波形进行微弧氧化。控制电流法比控制电压法在工艺控制方面更加方便，控制电流法的电流密度一般为2~8A/dm2。控制电流微弧氧化时，开始的氧化电压上升很快，当达到微弧放电后电压上升减慢。随着微弧氧化膜的形成，氧化电压又较快地上升，最后维持在一个较高的电解电压下。
微弧氧化设备概述：我国不少研究院或大学，如北京师范大学、北京有色金属研究总院、哈尔滨科技大学等在20世纪90年代初先后赴俄罗斯考察和引进，并开始自行研究和开发，电器微弧氧化设备，目前我国从事铝、镁、钛微弧氧化研究开发的单位不下50个，并在不少工业部门中得到应用和推广。但是就总体而言，我国的铝合金微弧氧化的研究和开发还处于起步阶段，尤其在理论研究和新技术开发方面还比较粗糙。
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